[发明专利]电子设备、超声波指纹识别装置及其制造方法

权利要求书

1.一种超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，包括：

在用于信号处理的第一半导体器件的顶部形成基底层；

在所述基底层顶部形成第一平面电极，所述第一平面电极与所述第一半导体器件的第一接触点电性连接；

在所述第一平面电极顶部形成压电薄膜层；

在位于所述第一平面电极下方的基底层部分形成谐振空腔；

在所述压电薄膜层顶部形成第二平面电极，所述第二平面电极与所述第一半导体器件的第二接触点电性连接。

2.如权利要求1所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述在所述基底层顶部形成第一平面电极，包括：

图形化所述基底层，以形成第一接触沟槽；所述第一接触沟槽位于所述第一接触点上方；

在所述基底层顶部形成导电薄膜层，所述导电薄膜层穿过所述第一接触沟槽并与所述第一接触点电性连接；

图形化所述导电薄膜层，以形成第一平面电极。

3.如权利要求2所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，在图形化所述基底层后，还形成第二接触沟槽；所述第二接触沟槽位于所述第二接触点上方；

对应的，在图形化所述导电薄膜层后，所述第二接触沟槽内形成一导电部件；所述导电部件与所述第二接触点电性连接，且与所述第一平面电极绝缘隔离。

4.如权利要求1所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，在形成所述谐振空腔之前，还包括：

在位于所述第一平面电极的外周边形成支撑部件。

5.如权利要求4所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述在位于所述第一平面电极的外周边形成支撑部件，包括：

图形化所述基底层位于所述第一平面电极的外周边部分，以形成容纳沟槽；

对所述容纳沟槽周边暴露在外的基底层部分进行氧化处理，从而在所述容纳沟槽内形成氧化物结构，以作为支撑部件。

6.如权利要求5所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，在所述形成氧化物结构后，还包括：

对所述氧化物结构进行平坦化处理。

7.如权利要求3所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述在位于所述第一平面电极下方的基底层部分形成谐振空腔，包括:

图形化所述压电薄膜层，以形成第三接触沟槽和蚀刻孔；所述第三接触沟槽位于所述导电部件上方；

通过所述蚀刻孔对位于所述第一平面电极下方的基底层部分进行蚀刻，以形成谐振空腔；

封堵所述蚀刻孔，以密封所述谐振空腔。

8.如权利要求7所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述蚀刻孔位于所述第一平面电极的周边。

9.如权利要求1所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，还包括：

在所述第二平面电极顶部形成钝化保护层。

10.如权利要求2或3所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，通过淀积工艺在所述基底层顶部形成导电薄膜层。

11.如权利要求1所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，通过淀积工艺在所述压电薄膜层顶部形成第二平面电极。

12.如权利要求1所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，通过外延生长工艺在所述第一半导体器件顶部形成基底层。

13.如权利要求2、3、5或7所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述图形化通过刻蚀工艺实现。

14.如权利要求1所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，通过淀积工艺在所述第一平面电极顶部形成压电薄膜层。

15.如权利要求7所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，通过淀积工艺封堵所述蚀刻孔。

16.如权利要求9所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，通过淀积工艺在所述第二平面电极顶部形成钝化保护层。

17.如权利要求1所述的超声波指纹识别装置的制造方法，其特征在于，所述基底层的材质包括单晶硅、多晶硅或非晶硅。