[发明专利]氧化物薄膜晶体管及其制造方法

权利要求书

1.一种通过脉冲栅压调控阈值电压的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述薄膜氧化物晶体管为以下任意一种结构类型：底栅顶接触型、底栅底接触型、底栅和顶栅相结合型，其特征在于，所述薄膜氧化物晶体管包含：绝缘衬底、栅介质层、位于所述栅介质层一侧的底栅电极，以及位于所述栅介质层另一侧的源极、漏极、以及所述源极和漏极之间的沟道层，所述栅介质是具有质子导电特性的固态电解质，并可以通过所述栅电极偏压脉冲的施加调控所述晶体管的阈值电压；

所述方法包含以下步骤：

提供一绝缘衬底，该绝缘衬底上形成有底栅电极；

在所述底栅电极上形成具有质子导电特性的固态电解质，作为栅介质层；

在所述栅介质层上形成图形化的漏极和源极，以及在所述漏极和源极之间的沟道层；

在所述漏极和源极上施加恒定偏压，同时，在底栅电极上施加偏压脉冲，以实现对所述薄膜氧化物晶体管的阈值电压的调控。

2.一种通过脉冲栅压调控阈值电压的薄膜晶体管的制造方法，其中，所述薄膜氧化物晶体管为以下任意一种结构类型：顶栅顶接触型、顶栅底接触型、底栅和顶栅相结合型，所述薄膜氧化物晶体管包含：绝缘衬底、栅介质层、位于所述栅介质层一侧的顶栅电极，以及位于所述栅介质层另一侧的源极、漏极、以及所述源极和漏极之间的沟道层，所述栅介质是具有质子导电特性的固态电解质，并可以通过所述栅电极偏压脉冲的施加调控所述晶体管的阈值电压；

所述方法其特征在于，包含以下步骤：

提供一绝缘衬底；

在所述绝缘衬底上形成图形化的沟道层、源极和漏极；

在所述沟道层上形成具有质子导电特性的固态电解质，作为栅介质层；

在所述栅介质层上形成顶栅电极；

在所述漏极和源极上施加恒定偏压，同时，在顶栅电极上施加偏压脉冲，以实现对所述薄膜氧化物晶体管的阈值电压的调控。