[发明专利]一种薄膜晶体管及其制备方法

权利要求书

1.一种薄膜晶体管，包括：绝缘衬底、栅电极、栅介质层、源电极、漏电极以及有源层；其中，

所述栅电极形成于所述绝缘衬底表面；

所述栅介质层形成于所述绝缘衬底表面并且覆盖所述栅电极；

所述源电极和漏电极埋于所述栅介质层中，且表面露出；

所述有源层形成于所述栅介质层表面，与所述源电极和漏电极接触。

2.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述薄膜晶体管的接触电阻包括：所述源电极和有源层之间的源极界面电阻、所述漏电极和有源层之间的漏极界面电阻、以及所述有源层的沟道电阻，所述薄膜晶体管不存在源极体电阻和漏极体电阻。

3.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述栅电极为金属Mo；所述栅介质层为SiO₂薄膜，其厚度为200nm。

4.如权利要求1所述的薄膜晶体管，其中，所述源电极和漏电极为Ti/Au，Ti/Au的厚度为5/45nm。

5.一种薄膜晶体管的制备方法，包括：

步骤S1：提供绝缘衬底；

步骤S2：在所述绝缘衬底表面形成栅电极；

步骤S3：在所述绝缘衬底表面形成栅介质层；

步骤S4：制作源电极和漏电极；以及

步骤S5：生长有源层。

6.如权利要求5所述的制备方法，其中，所述步骤S1包括：

用去离子水将所述绝缘衬底清洗干净；

在所述绝缘衬底表面涂光刻胶；

利用紫外线曝光并显影。

7.如权利要求5所述的制备方法，其中，所述步骤S2包括：

将所述绝缘衬底放置于电子束蒸发台腔室内进行栅极金属蒸发；

将蒸发后的绝缘衬底放入丙酮中浸泡，洗去光刻胶；

把所述绝缘衬底从丙酮中夹出，再放入无水乙醇中浸泡，洗去丙酮；

取出所述绝缘衬底并用氮气吹干，形成图形化的栅电极。

8.如权利要求5所述的制备方法，其中，所述步骤S3包括：

利用化学气相淀积工艺在所述绝缘衬底表面制作一层栅介质层；

在所述栅介质层表面旋涂光刻胶，紫外线曝光并显影，制作两个光刻胶薄膜窗口；

利用等离子刻蚀机对光刻胶薄膜窗口处的栅介质层向下刻蚀，刻蚀完成后从等离子刻蚀机中取出绝缘衬底。

9.如权利要求5所述的制备方法，其中，所述步骤S4包括：

将所述绝缘衬底放置于电子束蒸发台内进行源电极和漏电极蒸发；

将蒸发完成的绝缘衬底放入丙酮中浸泡，洗去光刻胶；

把所述绝缘衬底从丙酮中夹出，放入无水乙醇中洗去丙酮；

取出所述绝缘衬底用氮气吹干，得到图形化的源电极和漏电极。

10.如权利要求5所述的制备方法，其中，所述步骤S5包括：采用旋涂、磁控溅射或脉冲激光淀积工艺在栅介质层表面形成有源层。