[发明专利]半导体装置及半导体装置的制造方法

权利要求书

1.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

在绝缘表面上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；

形成在所述氧化物半导体膜上并包括接触孔的绝缘层，以使所述绝缘层具有侧面；

形成在所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上并与所述氧化物半导体膜及所述绝缘层接触的导电膜；

用气体蚀刻所述导电膜来形成源电极及漏电极，以使所述源电极及所述漏电极的每个具有侧面；以及

通过使用稀氢氟酸溶液的洗涤工序来去除所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上的残留物，

其中，所述源电极的所述侧面与所述源电极的底面之间的角大于所述绝缘层的所述侧面与所述绝缘层的底面之间的角，

其中，所述漏电极的所述侧面与所述漏电极的底面之间的角大于所述绝缘层的所述侧面与所述绝缘层的所述底面之间的所述角，

其中，由所述气体与所述氧化物半导体膜之间的反应而形成所述残留物，以及

其中，所述残留物中的每个包括含有铟及氯的化合物。

2.一种半导体装置的制造方法，包括以下步骤：

在绝缘表面上形成栅电极；

在所述栅电极上形成栅极绝缘膜；

在所述栅极绝缘膜上形成氧化物半导体膜；

形成在所述氧化物半导体膜上并与所述氧化物半导体膜接触的、包括接触孔的绝缘层，以使所述绝缘层具有侧面；

形成在所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上并与所述氧化物半导体膜及所述绝缘层接触的导电膜；

用气体蚀刻所述导电膜来形成源电极及漏电极，以使所述源电极及所述漏电极的每个具有侧面；以及

通过使用稀氢氟酸溶液的洗涤工序来去除所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上的残留物，

其中，所述源电极的所述侧面与所述源电极的底面之间的角大于所述绝缘层的所述侧面与所述绝缘层的底面之间的角，

其中，所述漏电极的所述侧面与所述漏电极的底面之间的角大于所述绝缘层的所述侧面与所述绝缘层的所述底面之间的所述角，

其中，由所述气体与所述氧化物半导体膜之间的反应而形成所述残留物，以及

其中，所述残留物中的每个包括含有铟及氯的化合物。

3.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述导电膜包括多个金属层。

4.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述绝缘层包括比所述源电极及所述漏电极薄的部分。

5.根据权利要求1或2所述的方法，其中所述气体含有氯。

6.一种半导体装置，包括：

栅电极层；

所述栅电极层上的栅极绝缘膜；

所述栅极绝缘膜上的氧化物半导体膜，所述氧化物半导体膜含有铟；

在所述氧化物半导体膜上并与所述氧化物半导体膜接触的绝缘层，所述绝缘层与所述栅电极层重叠；

所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上并与所述氧化物半导体膜及所述绝缘层接触的源电极层；以及

所述氧化物半导体膜及所述绝缘层上并与所述氧化物半导体膜及所述绝缘层接触的漏电极层，

其中，所述绝缘层的厚度大于或等于5 nm以及小于或等于0.1 µm，

其中，所述源电极层和所述漏电极层中的每个层包括钛，

其中，所述绝缘层的表面处的氯浓度为小于或等于1×10¹⁹/cm³，以及

其中，所述绝缘层的所述表面处的铟浓度为小于或等于2×10¹⁹/cm³，

其中，所述源电极层通过所述绝缘层中的第一开口与所述氧化物半导体膜接触，

其中，所述漏电极层通过所述绝缘层中的第二开口与所述氧化物半导体膜接触，

其中，所述第一开口及所述第二开口与所述栅电极层的边缘重叠，以及

其中，所述绝缘层覆盖所述氧化物半导体膜的端部。