[发明专利]传感器模块及制造方法

说明书

根据实施例提供一种磁阻性传感器模块。所述传感器模块可包括：集成电路；磁阻性传感器元件，其布置成单片集成在所述集成电路上的桥电路；以及应力缓冲层，其布置在所述集成电路与所述磁阻性传感器元件之间。还提供一种制造所述磁阻性传感器模块的方法。

技术领域

本公开涉及磁阻性传感器模块，并且涉及制造磁阻性传感器模块的方法。具体而言，本公开涉及单片集成在集成电路上的磁阻性传感器模块，并且涉及制造这些磁阻性传感器模块的方法。

背景技术

磁阻性传感器在汽车行业中用于诸如停车传感器、角度传感器(例如在节流阀中)、ABS(防抱死制动系统)传感器和胎压传感器之类的应用中。磁阻性传感器不同于(例如)光学传感器，对于诸如灰尘和湿气之类的环境条件非常不敏感。此外，磁阻性传感器可以与集成电路(IC)集成以构成传感器模块。然而，由于这些传感器具有安全关键的性质，所以它们应当在例如汽车应用中遇到的多种多样的工作温度下提供精确的测量。

发明内容

根据实施例，提供一种磁阻性传感器模块，其包括：集成电路；磁阻性传感器元件，其布置成单片集成在集成电路上的桥电路；以及应力缓冲层，其布置在集成电路与磁阻性传感器元件之间。

磁阻性传感器模块可以进一步包括布置在集成电路的上部主表面上的电介质层，并且其中应力缓冲层布置在电介质层上。

集成电路可包括用于使磁阻性传感器与集成电路电接触的接触元件。

应力缓冲层可以作为分立的层仅仅布置在磁阻性传感器元件下面。

应力缓冲层的热膨胀系数可以介于电介质层的热膨胀系数与磁阻性传感器元件的热膨胀系数之间，并且应力缓冲层布置成吸收在磁阻性传感器元件中诱发的温度相依性应力。应力缓冲层的热膨胀系数在0.5x10^-6 1/℃到23x 10^-6 1/℃的范围内。

电介质层可以是氧化物层，接触元件和磁阻性传感器元件可以是金属层。

应力缓冲层的薄片电阻率可以大于100Ohm/sq。应力缓冲层可以是氮化物化合物。应力缓冲层可以是氮化硅层。应力缓冲层可以是AlN、WTiN、TiN或TaN层。

桥电路可以是全桥电路或半桥电路。

单片集成可以减少封装成本、减少制造成本减少的装置的尺寸并改善可靠性和测量精确度。包括应力缓冲层可以改善传感器的温度相依性偏移电压Tc。

根据实施例，还提供一种制造磁阻性传感器模块的方法，所述方法包括：提供集成电路；将磁阻性传感器元件作为桥电路单片集成在集成电路上；以及在集成电路与磁阻性传感器元件之间构成应力缓冲层。

该方法还可以包括：在电介质层上形成所述应力缓冲层，其中所述电介质层布置在所述集成电路的上部主表面上。

所述应力缓冲层可以形成为仅仅布置在磁阻性传感器元件下面的分立层。

附图说明

下文中仅举例参看附图进一步描述本发明的实施例，其中：

图1示出根据一个实施例的磁阻性传感器模块的层结构的横截面图；

图2a示出根据一个实施例的用于制造磁阻性传感器模块的处理步骤；

图2b示出根据一个实施例的制造磁阻性传感器模块的处理步骤；

图2c示出根据一个实施例的制造磁阻性传感器模块的处理步骤，以及

图3示出根据另一个实施例的磁阻性传感器模块的层结构的横截面图。

附图和以下描述中，类似的参考标号指代类似的特征。附图是示意性的并且不按比例。

具体实施方式