[发明专利]一种晶硅电池钝化方法在审
| 申请号： | 201710304646.2 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN107134506A | 公开（公告）日： | 2017-09-05 |
| 发明（设计）人： | 王钊;康迪;张昕宇;金浩 | 申请（专利权）人： | 浙江晶科能源有限公司;晶科能源有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/18 | 分类号： | H01L31/18;H01L31/0216 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司11227 | 代理人： | 罗满 |
| 地址： | 314416 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 电池 钝化 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种晶硅电池钝化方法，其特征在于，包括：
对扩散后的硅片进行热氧钝化；
在所述硅片的表面沉积第一层钝化膜；
进行低温烧结，释放所述钝化膜内的氢；
在所述硅片的表面沉积第二层钝化膜；
进行丝网印刷和高温烧结。
2.根据权利要求1所述的晶硅电池钝化方法，其特征在于，
所述在所述硅片的表面沉积第一层钝化膜为：
利用流速为780sccm至830sccm的SiH4和流速为6700sccm至7300sccm的NH3在所述硅片的表面沉积第一层钝化膜。
3.根据权利要求1所述的晶硅电池钝化方法，其特征在于，
所述在所述硅片的表面沉积第二层钝化膜为：
利用流速为670sccm至740sccm的SiH4和流速为7000sccm至7800sccm的NH3在所述硅片的表面沉积第二层钝化膜。
4.根据权利要求1所述的晶硅电池钝化方法，其特征在于，所述第一层钝化膜的厚度为35mm至55nm。
5.根据权利要求1所述的晶硅电池钝化方法，其特征在于，所述第二层钝化膜的厚度为35mm至55nm。
6.根据权利要求4所述的晶硅电池钝化方法，其特征在于，所述第一层钝化膜的折射率范围为2.3至2.4。
7.根据权利要求5所述的晶硅电池钝化方法，其特征在于，所述第二层钝化膜的折射率范围为1.9至2.1。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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