[发明专利]薄膜集成电路用99.6％Al2O3 陶瓷基片的制备方法有效
| 申请号： | 201710305151.1 | 申请日： | 2017-05-03 |
| 公开（公告）号： | CN106986665B | 公开（公告）日： | 2020-04-28 |
| 发明（设计）人： | 居奎;庞锦标;班秀峰;窦占明;杨康;杨俊;韩玉成 | 申请（专利权）人： | 中国振华集团云科电子有限公司 |
| 主分类号： | C04B41/85 | 分类号： | C04B41/85;C04B35/10;C03C12/00;C03C6/04;H01L21/84 |
| 代理公司： | 北京超凡志成知识产权代理事务所(普通合伙) 11371 | 代理人： | 葛松生 |
| 地址： | 550000 贵州省贵*** | 国省代码： | 贵州;52 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜 集成电路 99.6 al2o3 陶瓷 制备 方法 | ||
【说明书】：
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于中国振华集团云科电子有限公司，未经中国振华集团云科电子有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710305151.1/2.html，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 刚化玻璃、刚化玻璃基板及其制备方法
- 一种用γ-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>制备α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶体的制备方法及其设备
- 一种用γ-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>制备α-Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>单晶体的烧结炉
- 无机纤维用粘接剂
- 一种稀土刚玉的加工工艺
- 基体改性的Pd/Fe/PVDF·Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>催化剂的制备方法
- 一种新型Al2O3/ZrO2(Y2O3)复相陶瓷的制备方法
- 高热稳定三氧化二铝/镍/三氧化二铝夹层结构催化剂及其制备方法与应用
- 基于Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>/(La<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)<sub>x</sub>(Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>)<sub>1-x</sub>/Al<sub>2</sub>O<sub>3</sub>结构的非易失性存储器件及其制备方法
- C9－10芳烃脱烷基的含稀土催化剂及其制备方法
