[发明专利]应用光谱仪来量测电浆气体解离状态的量测方法及装置

权利要求书

1.一种应用光谱仪来量测气体解离状态的量测装置，其特征在于，包含：

一主路径，供半导体积体电路制造时，进行电浆辅助沉积、薄膜蚀刻及改变材料表面作业，以达到特殊的功能及效果；

结合于该主路径之第二路径，供容置反应气体，主路径与第二路径之间以管体连结；

侦测件及光谱仪量测气体解离状态装置，设于主路径与第二路径之间，藉由该侦测件侦测管体内之气体解离状态，并由光谱仪量测气体解离状态装置计算出解离相对量值，

所述主路径连结有节流阀、真空帮浦及净气器。

2.根据权利要求1所述的一种应用光谱仪来量测气体解离状态的量测装置，其特征在于，该侦测件及光谱仪量测气体解离状态装置设于该管体的适当位置。

3.根据权利要求1所述的一种应用光谱仪来量测气体解离状态的量测装置，其特征在于，其作业包括半导体、光电或面板产业中的物理气相沉积设备、化学气相沉积设备或蚀刻设备中制程、远端电浆源设备内制程、生技业、化学业及应用物理之检验测试设备中作业。

4.根据权利要求1所述的一种应用光谱仪来量测气体解离状态的量测装置，其特征在于，该侦测件及光谱仪量测气体解离状态装置还可以设于该主路径内的适当位置，以供侦测主路径中电浆气体之解离状态。

5.根据权利要求1所述的一种应用光谱仪来量测气体解离状态的量测装置，其特征在于，该侦测件及光谱仪量测气体解离状态装置还可以设于该第二路径内的适当位置，以供侦测第二路径中电浆气体之解离状态。

6.根据权利要求1所述的一种应用光谱仪来量测气体解离状态的量测装置，其特征在于，该侦测件及光谱仪量测气体解离状态装置还可以设于该主路径与该真空帮浦之间，以供侦测该主路径与该真空帮浦之间电浆气体之解离状态。

7.根据权利要求1所述的一种应用光谱仪来量测气体解离状态的量测装置，其特征在于，该侦测件及光谱仪量测气体解离状态装置还可以设置在电浆源设备、电浆气体腔室及电控系统之装置中，以供侦测电浆源设备、电浆气体腔室及电控系统之装置中电浆气体之解离状态。

8.一种应用光谱仪来量测气体解离状态的方法，其特征在于，包含：在一主路径中执行使用反应气体的反应制程，连接该主路径的第二路径容置并解离该反应气体；

侦测该反应制程中该反应气体的气体解离状态；

计算该反应制程中该反应气体的解离相对量值；

在该反应制程后，根据该反应气体的该解离相对量值提供适当数量的该反应气体于该主路径中；及

排除该主路径之污染物。

9.根据权利要求8所述的一种应用光谱仪来量测气体解离状态的方法，其特征在于，该反应制程包含物理气相沉积设备、化学气相沉积及蚀刻制程。

10.根据权利要求8所述的一种应用光谱仪来量测气体解离状态的方法，其特征在于，该气体解离状态由一侦测件侦测，该解离相对量值以一光谱仪气体解离量测装置计算。

11.根据权利要求10所述的一种应用光谱仪来量测气体解离状态的方法，其特征在于，该侦测件与该光谱仪气体解离量测装置设置于该主路径。

12.根据权利要求10所述的一种应用光谱仪来量测气体解离状态的方法，其特征在于，该侦测件与该光谱仪气体解离量测装置还可以设置于该第二路径，以供侦测第二路径中电浆气体之解离状态。

13.根据权利要求10所述的一种应用光谱仪来量测气体解离状态的方法，其特征在于，还包含在解离该反应气体步骤之后以一真空帮浦与一净气器执行真空排气步骤。

14.根据权利要求13所述的一种应用光谱仪来量测气体解离状态的方法，其特征在于，该侦测件与该光谱仪气体解离量测装置还可以设置于该主路径与该真空帮浦之间，以供侦测该主路径与该真空帮浦之间电浆气体之解离状态。