[发明专利]99.6％Al2

权利要求书

1.一种99.6% Al₂O₃陶瓷基片减薄方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤：

（a）按照99.6% Al₂O₃、0.3% MgO，以及0.1%SiO₂的质量比进行配料；

将所得物料、研磨球和分散介质，以及分散剂砂磨混合，并将所得浆料干燥后过筛；

（b）将干燥后的浆料与有机溶剂和粘合剂混合，得到流延料，并流延成型得到氧化铝生瓷带，然后进行叠层、等静压和切割，得到方形氧化铝巴块，其厚度为a μm；

将氧化铝巴块分别在1300±30℃和1580±50℃条件下进行烧结，烧结后巴块的厚度分别为b μm和c μm；

将1300±30℃条件下烧结所得半成品氧化铝基片进行减薄抛光，需要减薄的厚度为（1-d/c）×b；

其中d为99.6% Al₂O₃陶瓷基片的设计厚度；

将减薄抛光后的成品氧化铝基片在1580±50℃温度下进行烧结，得到99.6% Al₂O₃陶瓷基片；

步骤（a）中，砂磨混合所得粉体颗粒的粒径分布为D50＜0.5μm，D90-D10＜0.8μm；

步骤（b）中所述减薄为采用高精度减薄机进行超精密磨削使得氧化铝基片厚度精度小于±1μm，表面粗糙度小于0.03μm，并进行在线检测和监控。

2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（a）中物料、研磨球、分散介质的质量比例为1:3:5；

和/或，分散剂的用量为0.5wt%。

3.根据权利要求2所述的方法，其特征在于，所述研磨球为锆球，所述分散介质为去离子水。

4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（a）中所述分散剂为明胶、聚乙烯醇、聚乙烯吡咯烷酮、油酸、聚乙二醇中的一种或多种混合物。

5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（a）中所述砂磨的频率为40～50Hz，砂磨的时间为1～2h。

6.根据权利要求1所述的方法，其特征在于，步骤（b）中所述减薄抛光为对半成品氧化铝基片的两面进行减薄抛光。

7.根据权利要求1-6中任一项所述方法制得的99.6% Al₂O₃陶瓷基片。

8.根据权利要求7所述的99.6% Al₂O₃陶瓷基片，其特征在于，所述99.6% Al₂O₃陶瓷基片的厚度精度≤±2μm，表面粗糙度小于0.05μm。

9.包含权利要求7或8所述99.6%Al₂O₃陶瓷基片的电子元器件。