[发明专利]一种楸树优良无性系增殖培养基及其应用

权利要求书

1.一种楸树优良无性系增殖培养基，其特征在于，包括改良DKW培养基，所述改良DKW培养基是指采用硫酸铵和硝酸钾代替传统DKW培养基中的硝酸铵和硫酸钾，并且对磷酸二氢钾和七水硫酸镁的含量进行调整；所述改良DKW培养基中包括所述硫酸铵1051～1284mg/L、所述硝酸钾1630～1998mg/L、所述磷酸二氢钾244～286mg/L、所述七水硫酸镁681～799mg/L；其余成分与传统的DKW相同。

2.根据权利要求1所述的楸树优良无性系增殖培养基，其特征在于，所述改良DKW培养基具体包括如下组分：硫酸铵1051～1284mg/L；硝酸钾1630～1998mg/L；磷酸二氢钾244～286mg/L；七水硫酸镁681～799mg/L；硼酸4.8mg/L；无水氯化钙112.5mg/L；硝酸钙1367.0mg/L；五水硫酸铜0.25mg/L；Na2-EDTA 45.4mg/L；七水硫酸铁33.8mg/L；一水硫酸锰33.5mg/L；钼酸钠0.39mg/L；六水硫酸镍0.005mg/L；六水硝酸锌17.0mg/L；盐酸硫胺素5.22mg/L。

3.根据权利要求1所述的楸树优良无性系增殖培养基，其特征在于，还包括6-苄氨基腺嘌呤。

4.根据权利要求3所述的楸树优良无性系增殖培养基，其特征在于，所述6-苄氨基腺嘌呤含量为0.1～1mg/L。

5.根据权利要求3所述的楸树优良无性系增殖培养基，其特征在于，进一步包括吲哚丁酸，所述吲哚丁酸的含量为0.01～0.1mg/L。

6.根据权利要求5所述的楸树优良无性系增殖培养基，其特征在于，进一步包括卡拉胶，所述卡拉胶含量为5～7g/L。

7.根据权利要求1～6中任一项所述的楸树优良无性系增殖培养基，其特征在于，进一步包括蔗糖30g/L。

8.一种权利要求1～7任一项所述的楸树优良无性系增殖培养基在楸树增殖培养中的应用。

9.一种根据权利要求8所述的应用，其特征在于，将植株接种至配制好的灭菌的培养基上，培养温度为26±2℃，光长强度为2000～3000Lx，光照时间为12～14h/天。

10.一种根据权利要求8所述的应用，其特征在于，包括以下步骤：

1)选取植株高度为3cm以上，培养周期为21天，生长健壮、叶色为绿色的楸树优良无性系无菌苗，作为增殖的材料；

2)将所选取的植株切除多余叶片及叶柄，保留所有顶芽、茎段及芽团，接种至已灭菌的培养基上；

3)将已接种至培养基的植株在温度为26±2℃，光长强度为2000～3000Lx，光照时间为12～14h/天的条件下进行培养。