[发明专利]一种零静态功耗的离散阈值电压比较器有效
| 申请号： | 201710307477.8 | 申请日： | 2017-05-04 |
| 公开（公告）号： | CN107134990B | 公开（公告）日： | 2020-09-15 |
| 发明（设计）人： | 李琰;俞航;姜来;黄隆锦;刘少华 | 申请（专利权）人： | 深圳大学 |
| 主分类号： | H03K5/24 | 分类号： | H03K5/24 |
| 代理公司： | 深圳市顺天达专利商标代理有限公司 44217 | 代理人： | 高占元 |
| 地址： | 518000 广东省*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 静态 功耗 离散 阈值 电压 比较 | ||
1.一种零静态功耗的离散阈值电压比较器，其特征在于，包括：第一晶体管(MP0)和多条并联的阀值调节支路(P)，
每条阀值调节支路(P)均与第一晶体管(MP0)和电压比较器的数字使能位(EN)连接，每条阀值调节支路(P)均根据数字使能位(EN)接收到的数字化控制信号调节电压比较器的阀值电压；
每条所述阀值调节支路(P)包括：第二晶体管(MP)和第三晶体管(MPS)，
第一晶体管(MP0)的栅极、每条所述阀值调节支路(P)中第二晶体管(MP)的栅极均与电压比较器的输入端(IN)连接，第一晶体管(MP0)的源极接地，第一晶体管(MP0)的漏极分别与每条所述阀值调节支路(P)中第二晶体管(MP)的源极以及电压比较器的输出端(OUT)连接，第二晶体管(MP)的漏极与第三晶体管(MPS)的源极连接，每条所述阀值调节支路(P)中第三晶体管(MPS)的栅极均与电压比较器的数字使能位(EN)连接，每条所述阀值调节支路(P)中第三晶体管(MPS)的漏极均与电源电压(VDD)连接。
2.根据权利要求1所述的电压比较器，其特征在于，还包括：用于提高电压比较器的驱动能力及控制电压比较器输出逻辑的极性的BUF器件(10)，所述BUF器件(10)的输入端分别与第一晶体管(MP0)的漏极以及每条所述阀值调节支路(P)中第二晶体管(MP)的源极连接，所述BUF器件(10)的输出端与电压比较器的输出端(OUT)连接。
3.根据权利要求2所述的电压比较器，其特征在于，所述BUF器件(10)为模拟或者数字电路的形式制备。
4.根据权利要求1所述的电压比较器，其特征在于，所述第一晶体管(MP0)为N型MOS管，所述第二晶体管(MP)和第三晶体管(MPS)均为P型MOS管。
5.一种零静态功耗的离散阈值电压比较器，其特征在于，包括：第一晶体管(MP0)和多条并联的阀值调节支路(P)，
每条阀值调节支路(P)均与第一晶体管(MP0)和电压比较器的数字使能位(EN)连接，每条阀值调节支路(P)均根据数字使能位(EN)接收到的数字化控制信号调节电压比较器的阀值电压；
每条所述阀值调节支路(P)包括：第二晶体管(MP)和第三晶体管(MPS)，
第一晶体管(MP0)的栅极、每条所述阀值调节支路(P)中第二晶体管(MP)的栅极均与电压比较器的输入端(IN)连接，第一晶体管(MP0)的漏极接地，第一晶体管(MP0)的源极分别与每条所述阀值调节支路(P)中第二晶体管(MP)的漏极以及电压比较器的输出端(OUT)连接，第二晶体管(MP)的源极与第三晶体管(MPS)的漏极连接，每条所述阀值调节支路(P)中第三晶体管(MPS)的栅极均与电压比较器的数字使能位(EN)连接，每条所述阀值调节支路(P)中第三晶体管(MPS)的源极均与电源电压(VDD)连接。
6.根据权利要求5所述的电压比较器，其特征在于，还包括：用于提高电压比较器的驱动能力及控制电压比较器输出逻辑的极性的BUF器件(10)，所述BUF器件(10)的输入端分别与第一晶体管(MP0)的源极以及每条所述阀值调节支路(P)中第二晶体管(MP)的漏极连接，所述BUF器件(10)的输出端与电压比较器的输出端(OUT)连接。
7.根据权利要求6所述的电压比较器，其特征在于，所述BUF器件(10)为模拟或者数字电路的形式制备。
8.根据权利要求5所述的电压比较器，其特征在于，所述第一晶体管(MP0)为N型MOS管，所述第二晶体管(MP)和第三晶体管(MPS)均为P型MOS管。
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