[发明专利]一种超低衰减大有效面积单模光纤

权利要求书

1.一种超低衰减大有效面积单模光纤，包括有芯层和包层，其特征在于所述的芯层半径r1为5～8μm，芯层的相对折射率Δn1为0～0.20％，芯层外从内向外依次包覆内包层、下陷内包层和外包层，所述的内包层半径r2为8.5～12μm，相对折射率Δn2为-0.20～-0.45％，所述的下陷内包层半径r3为12.5～30μm，相对折射率Δn3为-0.40～-0.65％，所述外包层为全掺氟二氧化硅玻璃层，相对折射率Δn4为-0.22～-0.53％。

2.按权利要求1所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述的芯层为锗氟及氯共掺的二氧化硅玻璃层，或锗与氯共掺的二氧化硅玻璃层，其中锗的掺杂贡献量为0.04％～0.08％，氯掺杂量按重量计为100～20000ppm。

3.按权利要求2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述的氯掺杂量按重量计为500～10000ppm。

4.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述的下陷内包层为氟掺杂二氧化硅玻璃层。

5.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述的内包层相对折射率Δn2大于外包层相对折射率Δn4，外包层相对折射率Δn4大于下陷包层相对折射率Δn3，即Δn2>Δn4>Δn3。

6.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的有效面积为100～135μm²。

7.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤在1550nm波长处的衰减系数小于或等于0.160dB/km。

8.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤的成缆截止波长等于或小于1530nm。

9.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤的零色散点小于等于1300nm；所述光纤在波长1550nm处的色散等于或小于23ps/nm*km，所述光纤在波长1625nm处的色散等于或小于27ps/nm*km。

10.按权利要求1或2所述的超低衰减大有效面积单模光纤，其特征在于所述光纤在波长1625nm处，R15mm弯曲半径弯曲10圈的宏弯损耗等于或小于0.1dB，R10mm弯曲半径弯曲1圈的宏弯损耗等于或小于0.2dB。