[发明专利]电极材料、超级电容器、电子设备和制备电极材料的方法

权利要求书

1.一种电极材料，其特征在于，包括电荷集流体膜层和分等级阵列双层膜层，所述分等级阵列双层膜层包括纳米尺寸片状阵列膜层和微米尺寸花状阵列膜层，其中，所述纳米尺寸片状阵列膜层是在所述电荷集流体膜层上原位生长的，所述微米尺寸花状阵列膜层排列在所述纳米尺寸片状阵列膜层的上层，所述分等级阵列双层膜层的成分为金属氧化物、金属氢氧化物或复合金属氧化物，所述金属氧化物、金属氢氧化物或复合金属氧化物中的金属包括Sc、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn和Mo中的至少一种。

2.根据权利要求1所述的电极材料，其特征在于，所述电荷集流体为柔性电荷集流体。

3.根据权利要求1或2所述的电极材料，其特征在于，所述电荷集流体为碳纤维薄膜、石墨烯基电荷集流体、碳纳米管基电荷集流体、金属或合金薄膜中的一种或由至少两种复合而成。

4.根据权利要求1或2所述的电极材料，其特征在于，所述电荷集流体具有金属涂层、合金涂层或碳材料涂层。

5.根据权利要求1或2所述的电极材料，其特征在于，所述电荷集流体具有电池体系活性物质涂层。

6.根据权利要求1或2所述的电极材料，其特征在于，所述纳米尺寸片状阵列膜层包括相互交织垂直排列的多个纳米尺寸单片，所述纳米尺寸单片的直径大于或等于1nm并且小于或等于1000nm，所述纳米尺寸单片的厚度大于或等于1nm并且小于或等于100nm，所述纳米尺寸片状阵列膜层的厚度大于或等于0.5μm并且小于或等于100μm。

7.根据权利要求1或2所述的电极材料，其特征在于，所述微米尺寸花状阵列膜层包括多个微米尺寸单花，所述微米尺寸单花的直径大于或等于1μm并且小于或等于10μm，所述微米尺寸花状阵列膜层的厚度大于或等于1μm并且小于或等于100μm。

8.根据权利要求1或2所述的电极材料，其特征在于，所述纳米尺寸片状阵列膜层包括相互交织垂直排列的多个纳米尺寸单片，所述微米尺寸花状阵列膜层包括多个微米尺寸单花，所述微米尺寸单花是由所述纳米尺寸单片二次生长后自组装形成的，或者是原位沉积形成的。

9.根据权利要求1或2所述的电极材料，其特征在于，所述纳米尺寸片状阵列膜层是通过恒电流沉积获得的，所述微米尺寸花状阵列膜层是通过恒电压沉积获得的。

10.一种超级电容器，其特征在于，所述超级电容器中包括权利要求1至9中任一项所述的电极材料。

11.根据权利要求10所述的超级电容器，其特征在于，所述超级电容器为对称超级电容器，所述对称超级电容器的正极和负极均由所述电极材料制作而成。

12.根据权利要求10所述的超级电容器，其特征在于，所述超级电容器为非对称超级电容器，所述非对称超级电容器的正极由所述电极材料制作而成。

13.一种电子设备，其特征在于，所述电子设备中包括权利要求1至9中任一项所述的电极材料。