[发明专利]一种用于VOC吸附的疏水二氧化硅的制备方法

权利要求书

1.一种用于VOC吸附的疏水二氧化硅的制备方法，其特征在于，该制备方法包括如下步骤：

(1)在容器中将硝酸、去离子水和无水乙醇配成混合液；

(2)将二氧化硅硅源、无水乙醇和去离子水配成混合液，然后加入复合偶联剂，搅拌均匀；

(3)将步骤(2)得到的溶液快速倒入步骤(1)得到的混合液中，溶液PH控制在2－6之间，搅拌数小时；

(4)将容器密封放置，陈化2h；

(5)将经过表面改性和溶剂置换后的凝胶抽滤，洗涤，常温下静置；

(6)将洗净的凝胶烘干，然后进行气流超细粉碎，获得成品。

2.根据权利要求1所述的一种用于VOC吸附的疏水二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中所述二氧化硅硅源采用正硅酸乙酯或者水玻璃。

3.根据权利要求1所述的一种用于VOC吸附的疏水二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中二氧化硅硅源、无水乙醇和去离子水的重量比为1:

(3.0-4.5):(6.0-7.0)。

4.根据权利要求3所述的一种用于VOC吸附的疏水二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中二氧化硅硅源、无水乙醇和去离子水的重量比为1:3.8:6.4。

5.根据权利要求1所述的一种用于VOC吸附的疏水二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中复合偶联剂由一种含苯环基团硅烷偶联剂、一种含直链烷基团硅烷偶联剂和一种含环氧基团硅烷偶联剂构成。

6.根据权利要求5所述的一种用于VOC吸附的疏水二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中含苯环基团硅烷偶联剂为苯基三甲氧基硅烷、二苯基二甲氧基硅烷、甲基苯基二甲氧基硅烷或者苯基三乙氧基硅烷。

7.根据权利要求5所述的一种用于VOC吸附的疏水二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中含直链烷基团硅烷偶联剂为正辛基三乙氧基硅烷、十二烷基三甲氧基硅烷、正丙基三甲氧基硅烷、甲基三甲氧基硅烷、乙烯基三甲氧硅烷、乙烯基三乙氧基硅烷、3-氨丙基三乙氧基硅烷、N-(2-氨乙基-3-氨丙基)甲基二甲氧基硅烷或者N-(2-氨乙基-3-氨丙基)三甲氧基硅烷。

8.根据权利要求5所述的一种用于VOC吸附的疏水二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中含环氧基团硅烷偶联剂为2-(3，4-环氧环己基)乙基三乙氧基硅烷、2-(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、3-(2，3-环氧丙氧)丙基三甲氧基硅烷或者3-(2，3-环氧丙氧)丙基三乙氧基硅烷。

9.根据权利要求5所述的一种用于VOC吸附的疏水二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中一种含苯环基团硅烷偶联剂、一种含直链烷基团硅烷偶联剂和一种含环氧基团硅烷偶联剂加入量均为硅源中二氧化硅摩尔数的0.05-1倍。

10.根据权利要求9所述的一种用于VOC吸附的疏水二氧化硅的制备方法，其特征在于，所述步骤(2)中一种含苯环基团硅烷偶联剂、一种含直链烷基团硅烷偶联剂和一种含环氧基团硅烷偶联剂加入量均为硅源中二氧化硅摩尔数的0.3-0.5倍。