[发明专利]一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置有效
申请号: | 201710309230.X | 申请日: | 2017-05-04 |
公开(公告)号: | CN106910765B | 公开(公告)日: | 2020-02-18 |
发明(设计)人: | 王磊;玄明花;杨盛际;卢鹏程;肖丽;付杰;陈小川 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32;G09G3/3225 |
代理公司: | 北京同达信恒知识产权代理有限公司 11291 | 代理人: | 郭润湘 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电致发光 显示 面板 制作方法 显示装置 | ||
本发明公开了一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置,包括:衬底基板,设置于衬底基板上的多个发光单元,与各发光单元电性连接的驱动电路,以及与驱动电路电性连接的多条信号线;并且,还包括:与各信号线异层设置且电性连接的降阻电极。由于通过将降阻电极与各信号线异层设置且电性连接,即将降阻电极与各信号线并联,可以降低各信号线的电阻,因此,减小了各信号线的信号负载,提高了电致发光显示面板的显示品质。
技术领域
本发明涉及显示技术领域,尤其涉及一种电致发光显示面板、其制作方法及显示装置。
背景技术
随着显示面板的不断发展,用户对显示面板的分辨率(Pixels Per Inch,PPI)的要求越来越高。逐渐兴起的虚拟现实(Virtual Reality,VR)技术和增强现实(AugmentedReality,AR)技术,由于其是近眼显示,尤其对PPI提出了更高的要求。
电致发光显示面板(Organic Light-Emitting Diode,OLED),其具备自发光,不需背光源、对比度高、厚度薄、视角广、响应速度快、可用于挠曲性面板、使用温度范围广、构造及制程较简单等优异的特性,这些优势使得电致发光显示面板有望成为未来显示面板的主流。
电致发光显示面板一般包括衬底基板,设置于衬底基板上的像素驱动电路,设置于像素驱动电路之上的阳极,设置于阳极之上的空穴注入层,设置于空穴注入层之上的空穴传输层,设置于空穴传输层之上的发光层,设置于发光层之上的电子传输层,设置于电子传输层之上的电子注入层,设置于电子注入层之上的阴极,以及设置于阴极之上的封装层。一般地,将空穴注入层、空穴传输层、发光层、电子传输层和电子注入层的叠加膜层称为有机发光材料层。并且,在像素驱动电路、阳极、有机发光材料层和阴极等各导电层之间还可以设置绝缘层,以使相邻的导电层之间相互绝缘。
由上述描述可知,电致发光显示面板必须由像素驱动电路进行驱动,才可以实现画面显示。相比于每个像素只需一个薄膜晶体管(Thin Film Transistor,TFT)进行驱动的液晶显示面板(Liquid Crystal Display,LCD),高PPI的电致发光显示面板很难实现。
为了提高电致发光显示面板的PPI,如图1所示,我们采用两个具有开关功能的TFT1、TFT2和一个存储电荷的电容(Capacitance,C)构成的2T1C像素驱动电路来驱动电致发光显示面板。如图1所示,在栅线Gate向TFT1提供开启信号时,TFT1打开,之后TFT1有选择性地将数据线Data提供的数据电压信号接入到TFT2的栅极,并通过电容C对该数据电压信号进行存储。之后,由TFT2将储存的数据电压信号转换为流经TFT2的电流信号,而TFT2与OLED为串联结构,流经TFT2的电流信号即为OLED工作时候的电流信号。
但是,在实际的像素驱动电路的设计中,由于要极度压缩空间,只能将通常与Data同层设置的纵向布线的直流高电平信号线(VDD)改为与Gate同层设置的横向布线的直流高电平信号线(VDD),如图1所示。而对于电致发光显示面板工艺来说,直流高电平横向信号线的钼金属电阻率远远大于直流高电平纵向信号线的铝金属电阻率,所以横向布线使得直流高电平信号线的信号负载大大增加。
通过模拟表明,具有直流高电平横向信号线的2T1C像素驱动电路只适用于驱动1英寸左右的电致发光显示面板,而对于采用VR和AR技术的3.5英寸以上的电致发光显示面板,则会由于负载较大,造成信号延迟,从而极大地降低了电致发光显示面板的显示品质。
此外,随着显示技术的发展,电致发光显示面板表现出尺寸越来越大,分辨率和刷新率越来越高的发展趋势。越来越大的显示面板尺寸、越来越高的分辨率和刷新率使得与像素驱动电路连接的栅线和数据线等信号线的信号负载越来越大,严重影响了电致发光显示面板的显示品质。
因此,如何减小信号线的信号负载,以提高电致发光显示面板的显示品质,是目前本领域技术人员亟需解决的技术问题。
发明内容
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于京东方科技集团股份有限公司,未经京东方科技集团股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710309230.X/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 同类专利
- 专利分类
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的