[发明专利]一种图形化薄膜、薄膜晶体管及忆阻器的制备方法

权利要求书

1.一种图形化薄膜的制备方法，包括：

步骤1，准备薄膜前驱液，并选择衬底，其中，所述的薄膜前驱液为铟、镓、锌、镉、锡、铝、钇、铪、锆的无机盐溶液或者其中若干种金属无机盐的混合溶液以及石墨烯、类石墨烯二维材料的溶液或悬浮液；

步骤2，对所述衬底进行清洗，并对清洗后衬底的生长面进行亲水处理；

步骤3，选择一预先准备的带有图案的模板，并将所述模板贴合并固定在亲水处理后的衬底上；

步骤4，在模板与衬底形成的微孔道两端滴加所述薄膜前驱液，并使所述薄膜前驱液充分浸润模板两端；

步骤5，静待，待观察到所述薄膜前驱液在微通道内不再移动，进行薄膜前驱液溶剂的蒸发处理，完成图形化薄膜的初步固化；

步骤6，确认薄膜初步固化后去除模板，然后对衬底及之上的薄膜进行温度为100～400℃的退火处理，完成薄膜的图形化制备。

2.如权利要求1所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的衬底为硅片、热氧化硅片、载玻片、PET、PI、PDMS中的任一种。

3.如权利要求1所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的模板为基于柔性高分子的软模板或与衬底形成微通道的硬质模板。

4.如权利要求1或3所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的模板上的图案为长条形条纹，条纹宽度与条纹间距均在0～100μm之间。

5.如权利要求1所述的图形化薄膜的制备方法，其特征在于，所述的模板固定过程为：将一个质量为50～300g的砝码作用于所述模板上，并且所述模板贴合并固定在所述衬底上保持的时间在30-300s之间。

6.一种薄膜晶体管的制备方法，其特征在于，所述的薄膜晶体管的半导体沟道层、绝缘栅介质层、源漏电极层以及栅电极层中的任一层采用权利要求1～5任一所述的方法制备。

7.一种忆阻器的制备方法，其特征在于，所述的忆阻器的底电极层，阻变层和顶电极层中的任一层采用权利要求1～5任一所述的方法制备。