[发明专利]化学放大型正型感光性树脂组合物

说明书

本发明提供化学放大型正型感光性树脂组合物、使用该感光性树脂组合物的带铸模的基板的制造方法和使用该带铸模的基板的镀覆造形物的制造方法，其中，使用所述化学放大型正型感光性树脂组合物，在具有金属表面的基板的金属表面上形成成为镀覆造形物的铸模的抗蚀剂图案的情况下，能够抑制在非抗蚀剂部底部(支承体表面侧)的宽度比顶部(抗蚀剂层的表面侧)的宽度窄的“底脚”的产生、金属基板表面的改性、和显影残渣的产生。使包含(A)通过活性光线或放射线的照射而产生酸的产酸剂、(B)通过酸的作用而对于碱的溶解性增大的树脂的化学放大型正型感光性树脂组合物含有特定结构的巯基化合物。

技术领域

本发明涉及化学放大型正型感光性树脂组合物、使用该化学放大型正型感光性树脂组合物的带铸模的基板的制造方法、和使用该带铸模的基板的镀覆造形物的制造方法。

背景技术

现在，光电加工(日文：ホトフアブリケ一シヨソ)成为精密微细加工技术的主流。光电加工是指，将光致抗蚀剂组合物涂布于被加工物表面而形成光致抗蚀剂层，通过光刻技术将光致抗蚀剂层图案化，将图案化的光致抗蚀剂层(光致抗蚀剂图案)作为掩模进行化学蚀刻、电解蚀刻、或以电镀为主体的电铸等，来制造半导体封装体等各种精密部件的技术的总称。

另外，近年来，伴随电子设备的小型化，半导体封装体的高密度安装技术发展，正在尝试封装体的多引脚薄膜安装化、封装体尺寸的小型化、基于利用倒装芯片方式的2维安装技术、3维安装技术的安装密度的提高。在这样的高密度安装技术中，作为连接端子，例如，在封装体上突出的凸块等突起电极(安装端子)、将从晶片上的外围端子延伸的再布线与安装端子连接的金属柱等在基板上高精度地配置。

上述那样的光电加工中使用光致抗蚀剂组合物，但作为那样的光致抗蚀剂组合物，已知包含产酸剂的化学放大型光致抗蚀剂组合物(参照专利文献1、2等)。化学放大型光致抗蚀剂组合物是如下物质：通过放射线照射(曝光)而由产酸剂产生酸，通过加热处理而酸的扩散被促进，对于组合物中的基体树脂等引起酸催化反应，其碱溶解性变化。

这样的化学放大型正型光致抗蚀剂组合物在例如基于镀覆工序的凸块、金属柱那样的镀覆造形物的形成等中使用。具体来说，使用化学放大型光致抗蚀剂组合物，在金属基板那样的支承体上形成所期望的膜厚的光致抗蚀剂层，隔着规定的掩模图案进行曝光、显影，形成光致抗蚀剂图案，其中，该光致抗蚀剂图案用作形成凸块、金属柱的部分被选择性地除去(剥离)的铸模。然后，通过镀覆将铜等导体埋入该被除去的部分(非抗蚀剂部)后，除去其周围的光致抗蚀剂图案，由此可以形成凸块、金属柱。

现有技术文献

专利文献

专利文献1：日本特开平9-176112号公报

专利文献2：日本特开平11-52562号公报

发明内容

发明要解决的问题

在上述的基于镀覆工序的凸块、金属柱等连接端子的形成中，对于成为铸模的抗蚀剂图案的非抗蚀剂部，期望底部(支承体表面侧)的宽度比顶部(抗蚀剂层的表面侧)的宽度大。这是由于，这样一来，凸块、金属柱等连接端子的底面与支承体的接触面积增加，连接端子与支承体的密合性被改良。

然而，在使用专利文献1、2等中公开的那样的、一直以来已知的化学放大型正型光致抗蚀剂组合物，在金属基板上形成成为凸块、金属柱等形成用的铸模的抗蚀剂图案的情况下，在基板表面与抗蚀剂图案的接触面，抗蚀剂部向非抗蚀剂部侧突出，因而在非抗蚀剂部容易产生底部的宽度比顶部的宽度窄的“底脚(日文：フツテイング)”。

因此，在使用专利文献1、2等中公开的那样的、一直以来已知的化学放大型正型光致抗蚀剂组合物的情况下，难以在金属基板上形成具备底部的宽度大于顶部的宽度的非抗蚀剂部的抗蚀剂图案。