[发明专利]半导体器件及其形成方法

权利要求书

1.一种半导体器件的形成方法，其特征在于，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底包括若干芯片区域和位于相邻芯片区域之间的间隔区域，所述间隔区域包括测试区域、切割区域及保护区域；在相邻的左右两芯片区域之间，所述切割区域位于测试区域两侧，且切割区域位于测试区域和芯片区域之间；所述保护区域位于切割区域和芯片区域之间；

在所述半导体衬底上形成介质层、位于芯片区域介质层中的芯片金属互联层、以及仅位于测试区域介质层中的测试金属互联层；所述介质层还位于所述保护区域上；

采用第一激光切割工艺去除所述切割区域的介质层，使保护区域介质层和测试区域介质层分立；

去除所述切割区域的介质层后，采用第二激光切割工艺，去除测试区域的测试金属互联层和测试区域的介质层；所述第二激光切割工艺的功率大于所述第一激光切割工艺的功率；

去除所述测试区域的测试金属互联层和测试区域的介质层后，去除所述切割区域及测试区域，保留所述保护区域。

2.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第一激光切割工艺的参数包括：激光功率为1瓦～3瓦，切割频率为100KHz～200KHz，切割速度为100毫米/秒～400毫米/秒。

3.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，自所述芯片区域至所述间隔区域的方向上，所述间隔区域中切割区域的尺寸为所述间隔区域尺寸的10％～20％。

4.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述芯片区域沿着第一方向和第二方向呈阵列式排列，第一方向和第二方向垂直；所述间隔区域包括沿第一方向延伸的第一间隔区和沿第二方向延伸的第二间隔区；所述第一间隔区包括第一测试区和第一切割区，第一切割区位于第一测试区两侧，且第一切割区位于第一测试区和芯片区域之间；所述第二间隔区包括第二测试区和第二切割区，第二切割区位于第二测试区两侧，且第二切割区位于第二测试区和芯片区域之间；所述测试金属互联层位于第一测试区介质层和第二测试区介质层中；去除所述切割区域的介质层的方法包括：去除第一切割区介质层和第二切割区介质层。

5.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除第一切割区介质层和第二切割区介质层的步骤包括：去除第一切割区介质层后，去除第二切割区介质层；或者，去除第二切割区介质层后，去除第一切割区介质层。

6.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述第二激光切割工艺的参数包括：激光功率为3瓦～5瓦，切割频率为10KHz～200KHz，切割速度为100毫米/秒～400毫米/秒。

7.根据权利要求4所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，去除测试区域的测试金属互联层和测试区域的介质层的方法包括：去除第一测试区的测试金属互联层和第一测试区的介质层后，去除第二测试区的测试金属互联层和第二测试区的介质层；或者，去除第二测试区的测试金属互联层和第二测试区的介质层后，去除第一测试区的测试金属互联层和第一测试区的介质层。

8.根据权利要求1所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，所述半导体衬底的芯片区域中具有芯片器件，所述芯片器件和芯片金属互联层电学连接；所述半导体衬底的间隔区域中具有测试器件，所述测试器件和测试金属互联层电学连接。

9.根据权利要求8所述的半导体器件的形成方法，其特征在于，还包括：在去除所述切割区域的介质层之前，对测试器件进行电学测试以获得测试数据，所述测试数据用于表征芯片器件的电学性能。