[发明专利]类金刚石薄膜物理退膜方法及退膜设备

权利要求书

1.类金刚石薄膜物理退膜方法，其特征在于：至少包括反应退膜过程，所述反应退膜过程是在低真空环境中，使强氧化性反应气体在设定电源的诱发下产生带电等离子体与类金刚石薄膜逐层反应；

所述反应退膜过程包括如下步骤：

S1，将待退膜工件放入真空腔中的导电盘上，并使其上的类金刚石薄膜暴露在真空腔中，抽真空至10Pa以下；

S2，向真空腔内通入强氧化性反应气体，并稳定一段时间；

S3，开启与导电盘连接的电源，控制产生的输出电压在200V-800V之间，占空比在30%-70%之间，从而使强氧化性反应气体不断生成带电等离子体与类金刚石薄膜反应，并控制带电等离子体定向移动产生的电流不大于设定值。

2.根据权利要求1所述的类金刚石薄膜物理退膜方法，其特征在于：所述电源是可输出高电压和高占空比的中频电源、脉冲电源或射频电源。

3.根据权利要求1所述的类金刚石薄膜物理退膜方法，其特征在于：在S2步骤中，所述强氧化性反应气体的流量为1-200sccm。

4.根据权利要求1所述的类金刚石薄膜物理退膜方法，其特征在于：在所述S3步骤中，控制真空腔内的温度不超过100℃。

5.根据权利要求1所述的类金刚石薄膜物理退膜方法，其特征在于：在所述S3步骤中，以半小时为周期停止一次反应退膜过程，并观察退膜效果，停歇5-10分钟后，再次开启反应退膜过程，重复上述过程至类金刚石薄膜全部或大部分去除时停止。

6.根据权利要求5所述的类金刚石薄膜物理退膜方法，其特征在于：在S3步骤中，控制带电等离子体定向移动产生的电流不大于1A。

7.根据权利要求1-6任一所述的类金刚石薄膜物理退膜方法，其特征在于：在所述反应退膜过程后还包括抛光过程，所述抛光过程是将经过反应退膜过程的待退膜工件从真空腔中取出后，用无尘纸沾取抛光研磨料对工件表明残留的类金刚石薄膜或裸露的过渡层或打底层进行抛光，至待退膜工件表面恢复金属光泽，无明显杂质残留后，清洗干净。

8.根据权利要求7类金刚石薄膜物理退膜方法，其特征在于：所述抛光研磨料为钻石研磨膏，所述钻石研磨膏的粒度尺寸为不大于W3.5。