[发明专利]一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法

权利要求书

1.一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其特征在于，包括：

提供衬底，在衬底正面沉积缓冲层、N型GaN、Ni薄膜；

将所述的外延片在氮气氛围中进行快速退火处理，得到Ni纳米颗粒；

采用ICP刻蚀的方法制备获得锥形GaN阵列；

除去外延片表面的金属Ni。

在所述的锥形GaN阵列上依次沉积InGaN/GaN量子阱，P型GaN。

2.根据权利要求1所述的一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其特征在于：所述的衬底材料为蓝宝石、硅、碳化硅、氮化镓等其中的一种。

3.根据权利要求1所述的一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其特征在于：在所述的N型GaN表面沉积一层Ni金属薄膜，所述的Ni金属薄膜的厚度为3-10nm。

4.根据权利要求1所述的一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其特征在于：通过对Ni金属薄膜进行快速退火处理得到Ni纳米颗粒。

5.根据权利要求1所述的一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其特征在于：采用ICP等刻蚀工艺对上述外延片进行刻蚀，除去多余的金属Ni，获得的GaN结构为锥形结构。

6.根据权利要求1所述的一种使用Ni纳米模板制备多波段发光的InGaN/GaN量子阱结构的方法，其特征在于：InGaN/GaN量子阱能够在一步生长的条件下就可实现出射多个波段的光谱。