[发明专利]一种具有快速响应特性的低压差线性稳压器

权利要求书

1.一种具有快速响应特性的低压差线性稳压器，包括误差放大器(g_m)，运算放大器、开关功率管(M5)、第一反馈电阻(R_FB1)、第二反馈电阻(R_FB2)、负载电阻(R_L)和电容(C_O)，

所述误差放大器(g_m)的正向输入端输入基准电压(V_REF)，其输出端连接运算放大器的正向输入端，所述开关功率管(M5)的栅极连接运算放大器的输出端，其漏极连接输入电压(V_IN)，第一反馈电阻(R_FB1)和第二反馈电阻(R_FB2)串联，其串联点连接误差放大器(g_m)的负向输入端，第一反馈电阻(R_FB1)的另一端接开关功率管(M5)的源极并作为所述具有快速响应特性的低压差线性稳压器的输出端，第二反馈电阻(R_FB2)的另一端接地，所述负载电阻(R_L)和电容(C_O)的并联结构连接在开关功率管(M5)的源极和地之间；

其特征在于，所述开关功率管(M5)为NMOS管，开关功率管(M5)的源极连接运算放大器的负向输入端；

所述具有快速响应特性的低压差线性稳压器还包括电流源(I)、第一NMOS管(M1)、第二NMOS管(M2)、第三NMOS管(M3)、第二三极管(Q2)、第二电阻(R2)、第三电阻(R3)和齐纳管(Z1)，

第一NMOS管(M1)的栅漏短接并连接电流源(I)和第二NMOS管(M2)的栅极，第一NMOS管(M1)和第二NMOS管(M2)的源极接地，

第二三极管(Q2)的基极接固定电平(VB1)，其集电极接第二NMOS管(M2)的漏极，其发射极接第三NMOS管(M3)的栅极并通过第三电阻(R3)后接所述开关功率管(M5)的栅极；

第三NMOS管(M3)的漏极连接所述运算放大器的正向输入端，其源极通过第二电阻(R2)后连接开关功率管(M5)的源极；

齐纳管(Z1)的阳极连接所述开关功率管(M5)的源极，其阴极连接所述开关功率管(M5)的栅极。

2.根据权利要求1所述的具有快速响应特性的低压差线性稳压器，其特征在于，所述运算放大器包括第一三极管(Q1)、第一PMOS管(M6)、第二PMOS管(M7)、第四NMOS管(M4)和第一电阻(R1)，

第一三极管(Q1)的基极作为所述运算放大器的正向输入端，第四NMOS管(M4)的源极作为所述运算放大器的负向输入端，其栅极作为所述运算放大器的输出端，

第一PMOS管(M6)的栅漏短接并连接第二PMOS管(M7)的栅极和第一三极管(Q1)的集电极，第一PMOS管(M6)和第二PMOS管(M7)的源极接输入电压(VIN)，第一三极管(Q1)的发射极通过第一电阻(R1)后接第四NMOS管(M4)的源极，第四NMOS管(M4)的栅漏短接并连接第二PMOS管(M7)的漏极。