[发明专利]一种低功耗柔性透明电子突触器件及其制备方法

权利要求书

1.一种低功耗柔性透明电子突触器件，其特征在于：包括衬底、设置于衬底上的底部电极、设置于底部电极上的介质层以及设置于介质层上的顶部电极，所述介质层与底部电极和顶部电极均电接触。

2.根据权利要求1所述的一种低功耗柔性透明电子突触器件，其特征在于：所述衬底为柔性透明材质，所述顶部电极和底部电极的材质为透明导电半导体，所述介质层为双层透明氧化物。

3.根据权利要求2所述的一种低功耗柔性透明电子突触器件，其特征在于：所述性透明材质为聚合物薄膜PET、PES或PI；所述透明导电半导体为ITO、GZO、AZO或FTO；所述双层透明氧化物为HfO₂和ZnO组成。

4.根据权利要求1所述的一种低功耗柔性透明电子突触器件，其特征在于：所述顶部电极接电源，所述底部电极接地。

5.一种根据权利要求1-4任一项所述的低功耗柔性透明电子突触器件的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：

步骤S1：在衬底上通过溅射、蒸发或ALD的方法制作底部电极；

步骤S2：在底部电极上通过溅射、蒸发或ALD的方法制作介质层，介质层与所述底部电极形成良好电接触；

步骤S3：在所述介质层上通过溅射、蒸发或ALD的方法制作顶部电极，顶部电极与所述介质层形成良好电接触。

6.根据权利要求5所述的一种低功耗柔性透明电子突触器件的制备方法，其特征在于：在步骤S2中，所述介质层采用HfO₂、ZnO双层薄膜制备，所述底部电极的上侧通过磁控溅射法、蒸发或ALD的方法制备ZnO纳米薄膜，再通过磁控溅射、蒸发或ALD方法在ZnO薄膜上覆盖HfO₂纳米薄膜以形成介质层。

7.根据权利要求5所述的一种低功耗柔性透明电子突触器件的制备方法，其特征在于：通过在顶部电极上施加不同的电压对突触器件的电阻值进行调节，经控制不同的电流获得介质层的不同电阻值，实现电阻值的连续性调节。