[发明专利]一种镶嵌式结构的钨‑金刚石透射靶材及其制备方法在审
申请号: | 201710311739.8 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN107227442A | 公开(公告)日: | 2017-10-03 |
发明(设计)人: | 马玉田;刘俊标;韩立 | 申请(专利权)人: | 中国科学院电工研究所 |
主分类号: | C23C14/18 | 分类号: | C23C14/18;C23C16/06;G01N23/04;H01J35/08 |
代理公司: | 北京科迪生专利代理有限责任公司11251 | 代理人: | 关玲 |
地址: | 100190 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 镶嵌 结构 金刚石 透射 及其 制备 方法 | ||
1.一种镶嵌式结构的钨-金刚石透射靶材,其特征在于:包括金刚石片和钨塞;所述钨塞通过氦离子显微镜的氖离子源在金刚石片中心位置打孔后,再以沉积方式镶嵌在金刚石片中。
2.根据权利要求1所述的一种镶嵌式结构的钨-金刚石透射靶材,其特征在于:所述金刚石片为圆片形状,直径为10-25mm,优选直径为15mm;厚度为100-200μm,优选厚度为100μm。
3.根据权利要求1所述的一种镶嵌式结构的钨-金刚石透射靶材,其特征在于:所述钨塞为圆柱型,直径为1-10μm,高度为3-10μm,镶嵌在金刚石片中心位置处。
4.根据权利要求1所述的一种镶嵌式结构的钨-金刚石透射靶材,其特征在于:所述氦离子显微镜的氖离子源采用的加速电压为25-30kV,束流为1.2-5.4pA。
5.根据权利要求1所述的一种镶嵌式结构的钨-金刚石透射靶材,其特征在于:所述打孔的孔径为1-10μm,深度为3-10μm。
6.一种镶嵌式结构的钨-金刚石透射靶材的制备方法,其特征在于:包括以下步骤:
(1)清洗金刚石片:将金刚石片用丙酮浸泡1-2h去油,再用工业乙醇超声波清洗0.5-1h,清洗完毕置于干燥皿中备用;
(2)金刚石片打孔前预处理:将金刚石片放在氦离子显微镜里面,待真空抽至10-3Pa以下时,采用等离子体进行清洗1-2h,去除金刚石片表面的氧化物和污染物;
(3)打孔:采用氦离子显微镜的氖离子源,加速电压为25-30kV,束流为1.2-5.4pA,在金刚石片中心位置处进行打孔,孔径为1-10μm,深度为3-10μm;
(4)钨塞沉积:在金刚石片打孔完毕后,在孔中进行钨的沉积,沉积高度和孔的深度相同,即得到镶嵌式结构的钨-金刚石透射靶材。
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