[发明专利]功率控制器件及包括其的半导体存储器件

权利要求书

1.一种功率控制器件，包括：

放大器，所述放大器被配置为将具有第二电源电压电平的输入信号放大到具有与第二电源电压电平不同的电压电平的第一电源电压电平，以及当在初始上电时段期间上电信号被激活时执行放大操作；

输出部分，所述输出部分被配置为在接收到控制信号时，在上电信号在初始上电时段期间被激活之前，将放大器的输出信号设定为特定逻辑电平，以及输出具有特定逻辑电平的输出信号；以及

控制信号发生器，所述控制信号发生器被配置为基于上电信号和电压控制信号来产生控制信号。

2.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，第一电源电压具有比第二电源电压高的电平。

3.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，第一电源电压具有比第二电源电压低的电平。

4.如权利要求1所述的功率控制器件，其中：

在第一电源电压在初始上电时段期间上升之后，第二电源电压上升。

5.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，放大器包括：

第一对PMOS晶体管，所述第一对PMOS晶体管被配置为通过源极端子来接收第一电源电压，以及通过栅极端子在输出节点的两端处接收信号；

第二对PMOS晶体管，所述第二对PMOS晶体管耦接在第一对PMOS晶体管与输出节点的两端之间，并且通过输入信号来控制；

第一对NMOS晶体管，所述第一对NMOS晶体管耦接在输出节点的两端之间，并且通过上电信号来控制；以及

第二对NMOS晶体管，所述第二对NMOS晶体管耦接在接地电压端子与第一对NMOS晶体管之间，并且通过输入信号来控制。

6.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，放大器包括：

第一对PMOS晶体管，所述第一对PMOS晶体管被配置为通过源极端子来接收第一电源电压，以及通过栅极端子在输出节点的两端处接收信号；

第二对PMOS晶体管，所述第二对PMOS晶体管耦接在第一对PMOS晶体管与输出节点的两端之间，并且通过输入信号的反相信号来控制；

第一对NMOS晶体管，所述第一对NMOS晶体管耦接在输出节点的两端之间，并且通过上电信号来控制；以及

第二对NMOS晶体管，所述第二对NMOS晶体管耦接在反向偏置电压的输入端子与第一对NMOS晶体管之间，并且通过输入信号的反相信号来控制。

7.如权利要求6所述的功率控制器件，其中，反向偏置电压被配置为当在初始上电时段中接地电压电平被保持且控制信号转变为逻辑低电平时，转变为负电压电平。

8.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，控制信号基于第一电源电压电平来改变，且在上电信号的激活期间转变为去激活状态。

9.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，输出部分被配置为在上电信号被激活之前将放大器的输出端子上拉至第一电源电压电平。

10.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，输出部分包括：

第一上拉元件，所述第一上拉元件耦接在第一电源电压的输入端子与放大器的输出端子之间，并且被配置为基于控制信号的反相信号来上拉放大器的输出端子；以及

一个或更多个反相器，所述一个或更多个反相器被配置为驱动第一上拉元件的输出信号。

11.如权利要求1所述的功率控制器件，其中，输出部分被配置为在上电信号被激活之前将放大器的输出端子下拉到反向偏置电压电平。