[发明专利]利用测井曲线对构造进行精细校正的方法有效
申请号: | 201710313306.6 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN107132588B | 公开(公告)日: | 2019-09-24 |
发明(设计)人: | 何嘉;陈小强;唐家琼;唐谢;陈丽清 | 申请(专利权)人: | 中国石油集团川庆钻探工程有限公司 |
主分类号: | G01V13/00 | 分类号: | G01V13/00;E21B49/00 |
代理公司: | 成都天嘉专利事务所(普通合伙) 51211 | 代理人: | 冉鹏程 |
地址: | 610051 四川省成都市*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 利用 测井 曲线 构造 进行 精细 校正 方法 | ||
1.一种利用测井曲线对构造进行精细校正的方法,其特征在于步骤如下:
a、收集将进行压裂改造的页岩气水平井测井资料和井轨迹资料;
b、选取某一地层分层界面作为校正构造基面;
c、建立选取井深x米的测井参数与距离校正构造基面真厚度H的相关性公式:
H=AX+BY+CZ+…+a
其中:A、B、C、…、a为常数,X、Y、Z、…为选取测井参数;
所述相关性公式具体是:
H=-0.0755998529646553×GR+0.484034467565719×AC+0.324413040357806×CNL+22.5851335619178×DEN-0.023402684641622×RXO-0.0965828978484509×RT-67.4960180934846
其中:GR为自然伽玛,单位API;
AC为补偿声波,单位μs/ft;
CNL为补偿中子,单位p.u;
DEN为补偿密度,单位g/cm3;
RXO为浅电阻率,单位Ω·m;
RT为深电阻率,单位Ω·m;
d、根据求出的H,删除其中的异常数值,最终得到沿井轨迹向下投影的构造基面数值F:
F=f(x)=H+TVD
其中:TVD是对应井深x米的垂深数值;
根据求出的构造基面数值F,对页岩气水平井储层构造进行校正。
2.根据权利要求1所述的一种利用测井曲线对构造进行精细校正的方法,其特征在于:所述的测井资料和井轨迹资料包括斜深、垂深、方位和井斜。
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