[发明专利]一种磁畴偏转模型建立方法及装置

权利要求书

1.一种磁畴偏转模型建立方法，其特征在于，包括：

S1：在预定的应力和磁场作用下，获取超磁致伸缩材料内单畴颗粒的预定的自由能公式，其中，预定的自由能公式为：

其中，H为磁场；Ms为饱和磁化强度；K₁和K₂为立方晶磁各向异性常数；σ为应力张量；λ₁₀₀和λ₁₁₁为磁致伸缩参数；为场方向；为应力方向，为磁化方向；μ₀为磁导率；

S2：通过预定的自由能公式获取磁化能公式、磁晶各向异性能公式、应力各向异性能公式，通过所述磁化能公式、所述磁晶各向异性能公式、所述应力各向异性能公式，获取预定的磁化强度矢量方向上的磁化强度公式：

其中，σ为预定的应力；H为预定的磁场；为预定的磁化强度矢量；为磁化方向；E_field为磁化能；E_an为磁晶各向异性能；E_σ为应力各向异性能；K为归一化常数；ω为电位分布参数；

S3：对所述磁化强度公式分别进行对应力和磁场的偏导运算，获取对应的偏导函数；

S4：将所述偏导函数代入预定的磁化密度增量公式中，获取预定的磁场增量值，获取磁化密度增量的计算结果。

2.根据权利要求1所述的磁畴偏转模型建立方法，其特征在于，预定的磁化密度增量公式为：

其中，ΔB,ΔH,Δσ分别为磁化密度增量，磁场增量和应力增量。

3.根据权利要求2所述的磁畴偏转模型建立方法，其特征在于，磁化密度等于磁化强度与相对磁导率的乘积。

4.一种磁畴偏转模型建立装置，其特征在于，包括：

第一获取单元，用于在预定的应力和磁场作用下，获取超磁致伸缩材料内单畴颗粒的预定的自由能公式；

其中，预定的自由能公式为：

其中，H为磁场；Ms为饱和磁化强度；K₁和K₂为立方晶磁各向异性常数；σ为应力张量；λ₁₀₀和λ₁₁₁为磁致伸缩参数；为场方向；为应力方向，为磁化方向；μ₀为磁导率；

第二获取单元，用于通过预定的自由能公式获取预定的方向上的磁化强度公式；

所述第二获取单元具体包括：

获取子单元，具体用于通过预定的自由能公式获取磁化能公式、磁晶各向异性能公式、应力各向异性能公式，通过所述磁化能公式、所述磁晶各向异性能公式、所述应力各向异性能公式，获取预定的磁化强度矢量方向上的磁化强度公式：

其中，σ为预定的应力；H为预定的磁场；为预定的磁化强度矢量；为磁化方向；E_field为磁化能；E_an为磁晶各向异性能；E_σ为应力各向异性能；K为归一化常数；ω为电位分布参数；

偏导单元，用于对所述磁化强度公式分别进行对应力和磁场的偏导运算，获取对应的偏导函数；

第三获取单元，用于将所述偏导函数代入预定的磁化密度增量公式中，获取预定的磁场增量值，获取磁化密度增量的计算结果。

5.根据权利要求4所述的磁畴偏转模型建立装置，其特征在于，预定的磁化密度增量公式为：

其中，ΔB,ΔH,Δσ分别为磁化密度增量，磁场增量和应力增量。

6.根据权利要求5所述的磁畴偏转模型建立装置，其特征在于，磁化密度等于磁化强度与相对磁导率的乘积。