[发明专利]一种由四卤化硅制备纳米硅的方法在审
申请号: | 201710313733.4 | 申请日: | 2017-05-05 |
公开(公告)号: | CN107265462A | 公开(公告)日: | 2017-10-20 |
发明(设计)人: | 刘志亮;常兴华;梁盛进;郑捷;李星国 | 申请(专利权)人: | 北京大学 |
主分类号: | C01B33/033 | 分类号: | C01B33/033;B82Y40/00 |
代理公司: | 北京君尚知识产权代理事务所(普通合伙)11200 | 代理人: | 刘召民 |
地址: | 100871 北*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 卤化 制备 纳米 方法 | ||
1.一种由四卤化硅制备纳米硅的方法,具体步骤如下:
(1)取四卤化硅和碱金属/碱土金属进行球磨;
(2)往球磨后后的混合物中依次加入乙醇和水,再洗涤、分离、干燥,得到纳米硅。
2.如权利要求1所述的一种由四卤化硅制备纳米硅的方法,其特征在于,所述四卤化硅是四氯化硅或四溴化硅。
3.如权利要求1所述的一种由四卤化硅制备纳米硅的方法,其特征在于,所述碱金属是钠,锂,钾,铷或铯,所述四卤化硅与碱金属的摩尔比为1:0.5-1:20。
4.如权利要求1所述的一种由四卤化硅制备纳米硅的方法,其特征在于,所述碱土金属是镁,钙,锶或钡,所述四卤化硅与碱土金属的摩尔比为1:0.5-1:10。
5.如权利要求1所述的一种由四卤化硅制备纳米硅的方法,其特征在于,采用振动球磨机或者行星球磨机进行球磨,球料比为1:1-400:1,球磨时间1-5000min。
6.如权利要求1所述的一种由四卤化硅制备纳米硅的方法,其特征在于,所述洗涤是指用水洗涤至无机盐全部洗去。
7.如权利要求1所述的一种由四卤化硅制备纳米硅的方法,其特征在于,所述分离采用的方法为离心分离或过滤分离。
8.如权利要求7所述的一种由四卤化硅制备纳米硅的方法,其特征在于,所述离心分离是指在500-30000rpm转速下离心。
9.如权利要求1所述的一种由四卤化硅制备纳米硅的方法,其特征在于,步骤(2)中,在常压或者真空下,25-150℃加热干燥1-36h。
10.如权利要求1所述的一种由四卤化硅制备纳米硅的方法,其特征在于,还包括:步骤(2)得到纳米硅后,用重量百分比浓度为0.1%wt-40%wt的HF溶液刻蚀,除去表面氧化层,洗涤,常压或者真空下,25-150℃加热干燥1-100h,得到表面无氧化层的纯的纳米硅。
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