[发明专利]一种具有自适应高阶补偿的高精度带隙基准源

说明书

本发明属于电源管理技术领域，具体的说是涉及一种具有自适应高阶补偿的高精度带隙基准源。本发明的电路包括启动与高精度偏置电路、自适应高阶补偿电路和带隙基准核心电路，本发明通过电流比较方式在低温时引入负温特性补偿电压，高温时引入正温特性补偿电压；同时，该种自适应补偿电路同时也采用了指数补偿方式，使得该种基准电路具有更高的温度特性以及更宽的温度范围，从而满足所需求高精度温度范围较宽的基准源。

技术领域

本发明属于电源管理技术领域，具体的说是涉及一种具有自适应高阶补偿的高精度带隙基准源。

背景技术

在模拟集成电路中，基准电压源是非常重要的模块。其基本作用是提供一个基本不随温度和供电电压变化的基准电压。随着对基准电压精度要求越来越高，传统一阶补偿带隙基准已经不能满足设计需求。为了得到高精度基准电压，二阶、指数等高阶补偿方法被提出，但是此种补偿方法对于提高基准电压精度有限。

发明内容

本发明的目的，是为了解决现有带隙基准的精度较低，不能满足基准电压精度越来越高的需求，提出了一种具有自适应高阶补偿的高精度带隙基准电路，本发明的自适应高阶补偿方法在全温范围内都引入高阶补偿电压，使得基准电压在很宽温度范围内具有很高精度的基准电压。

本发明的技术方案是：如图1所示，一种具有自适应高阶补偿的高精度带隙基准源，包括启动与高精度偏置电路、自适应高阶补偿电路和带隙基准核心电路；其特征在于，

如图2所示，所述启动与高精度偏置电路包括第一PMOS管MP1、第二PMOS管MP2、第三PMOS管MP3、第四PMOS管MP4、第五PMOS管MP5、第六PMOS管MP6、第一NMOS管MN1、第二NMOS管MN2、第三NPN三极管Q3、第四NPN三极管Q4、第五NPN三极管Q5、第六NPN三极管Q6、第八电阻R8、第九电阻R9和第一电容C1；

第一PMOS管MP1的源极接电源VCC，其栅极接第一偏置电压V1，其漏极通过第八电阻R8后接地；第一电容C1和第八电阻R8并联；

第二PMOS管MP2的源极接电源VCC，其栅极接第一PMOS管MP1的漏极；

第三PMOS管MP3的源极接电源VCC，其栅极接第一偏置电压V1；

第二PMOS管MP2的漏极与第三PMOS管MP3的漏极连接，第五NPN三极管Q5的集电极和基极接第二PMOS管MP2漏极与第三PMOS管MP3漏极的连接点；第三NPN三极管Q3的集电极和基极接第五NPN三极管Q5的发射极，第三NPN三极管Q3的发射极接地；

第四PMOS管MP4的源极接电源VCC，其栅极接第一偏置电压V1，其漏极与栅极互连；

第六NPN三极管Q6的集电极接第四PMOS管MP4的漏极，第六NPN三极管Q6的基极与第五NPN三极管Q5的基极连接；第四NPN三极管Q4的集电极接第六NPN三极管Q6的发射极，第四NPN三极管Q4的发射极通过第九电阻R9后接地，第四NPN三极管Q4的基极接第五NPN三极管Q5的发射极；

第五PMOS管MP5的源极接电源VCC，其栅极接第一偏置电压V1；第一NMOS管MN1的漏极接第五PMOS管MP5的漏极，第一NMOS管MN1的栅极与漏极互连，其源极接地；

第六PMOS管MP6的源极接电源VCC，其栅极和漏极接第二偏置电压V2，第二NMOS管MN2的漏极接第六PMOS管MP6的漏极，第二NMOS管MN2的源极接地；