[发明专利]一种带电压保护的磁保持继电器驱动电路有效
申请号: | 201710317234.2 | 申请日: | 2017-05-08 |
公开(公告)号: | CN106997829B | 公开(公告)日: | 2019-02-15 |
发明(设计)人: | 崔渊;王云松;俞洋;赵浩华;黄成;张健 | 申请(专利权)人: | 江苏理工学院 |
主分类号: | H01H47/00 | 分类号: | H01H47/00 |
代理公司: | 常州佰业腾飞专利代理事务所(普通合伙) 32231 | 代理人: | 李帅 |
地址: | 213001 江*** | 国省代码: | 江苏;32 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 电压 保护 保持 继电器 驱动 电路 | ||
本发明公开了一种带电压保护的磁保持继电器驱动电路,包括电源电路、电容充放电控制电路和电压保护电路,所述电源电路用以为电容充放电控制电路供电,所述电容充放电控制电路输出端驱动磁保持继电器工作,所述电压保护电路用以保护电容充放电控制电路,提高电容充放电控制电路对磁保持继电器控制的稳定性。本发明结构简单、性能稳定可靠、可并联多路控制驱动电路,节约资源。
技术领域
本发明涉及继电器驱动电路技术领域,具体为一种带电压保护的磁保持继电器驱动电路。
背景技术
磁保持继电器其触点开、合状态由永久磁铁所产生的磁力所保持。当继电器的触点需要进行开或合的状态转换时,只需要用正(反)直流脉冲电流激励线圈,继电器在瞬间就完成了开与合的状态转换。通常触点处于保持状态时,线圈不需要继续通电,仅靠永久磁铁的磁力就能维持继电器的状态不变。
目前磁保持继电器驱动电路有两种方法,一是由主控CPU来控制驱动电路来完成继电器的闭合和断开,在CPU上电时,功能开始初始化,其控制磁保持继电器驱动电路的I/O口电平可能处于不确定状态,而此时已正常上电的磁保持继电器驱动电路误动作,很可能导致驱动电路甚至整个仪器的损坏,同时这种方法占用了CPU资源;另一种是单线圈继电器采用单回路桥式驱动电路正反驱动,双线圈继电器采用的是双回路驱动,为了提高继电器的动作时间的稳定性,驱动电压一般采用数倍于线圈额定电压的,来保证磁保持继电器的吸合及释放时间的稳定,让继电器触点在交流电压的过零点闭合,缺点是容易带来机械(触点)的磨损和在换路时容易使三极管损坏,在精密测量仪表中存在明显的缺陷。
发明内容
针对现有技术的不足,本发明提供了一种带电压保护的磁保持继电器驱动电路,解决了现有技术的不足。
为实现以上目的,本发明通过以下技术方案予以实现:一种带电压保护的磁保持继电器驱动电路,包括:输出端与磁保持继电器相连的电容充放电控制电路;为电容充放电控制电路供电的电源电路;以及与电容充放电控制电路相连,用以保护电容充放电控制电路的电压保护电路。
优选的,所述电源电路包括第一三极管、第二三极管、第一电阻、第二电阻、第三电阻、第四电阻、第一二极管、第二二极管、第三二极管、第四二极管、第五二极管、第六二极管、第七二极管、第一稳压管和第二稳压管;所述第一电阻一端和第二电阻一端均接-15V电压,所述第一电阻另一端与第一三极管集电极相连,所述第一三极管发射极与第七二极管负极相连,所述第二电阻另一端和第一三极管基极均与第一二极管负极相连,所述第一二极管正极与第二二极管负极相连,所述第二二极管正极与第一稳压二极管正极相连,所述第一稳压二极负极接地;所述第三电阻一端和第四电阻一端均接+15V电压,所述第四电阻另一端与第二三极管集电极相连,所述第二三极管发射极与第六二极管正极相连,所述第二三极管基极和第三电阻另一端均与第五二极管正极相连,所述第五二极管负极与第四二极管正极相连,所述第四二极管负极与第三二极管正极相连,所述第三二极管负极与第二稳压二极管负极相连,所述第二稳压二极管正极接地;所述第一三极管为PNP型三极管,所述第二三极管为NPN型三极管。
优选的,所述电容充放电控制电路包括第一MOS管、第二MOS管、第三MOS管、第四MOS管、第五电容、第六电阻、第七电阻、第八电阻、第九电阻、第一开关和第二开关;所述第一MOS管栅极、第四MOS管栅极和第八电阻一端均与第一开关一端相连,所述第一MOS管漏极和第九电阻一端均与第二开关一端相连,所述第九电阻另一端与第二MOS管源极相连,所述第二MOS管漏极与第三MOS管漏极相连,所述第三MOS管源极与第四MOS管源极相连,所述第二MOS管栅极和第六电阻一端均与第七电阻一端相连,所述第七电阻另一端与第八电阻另一端相连,所述第六电阻另一端和第三MOS管栅极均与第二开关相连;所述第二开关一端还与第七二极管正极相连,所述第七电阻另一端与第四二极管正极相连,所述第二MOS管源极与第六二极管负极相连;所述第一MOS管和第二MOS管均为P沟道增强型MOS管,所述第三MOS管和第四MOS管均为N沟道增强型MOS管。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于江苏理工学院,未经江苏理工学院许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710317234.2/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种静态轨道式称重装置
- 下一篇:一种易于自动化生产的小型断路器