[发明专利]蚀刻液及显示器的制造方法

说明书

一种蚀刻液及显示器的制造方法。蚀刻液包括双氧水、丁二酸、丙二酸、醋酸、硫酸、异丙醇胺、5‑氨基‑1H‑四唑、四羟丙基乙二胺以及甘胺酸，上述成分均匀混合于去离子水中，其中双氧水占蚀刻液的重量百分比为5～10wt％，丁二酸占蚀刻液的重量百分比为0.5～10wt％，丙二酸占蚀刻液的重量百分比为0.5～10wt％，醋酸占蚀刻液的重量百分比为1～10wt％，硫酸占蚀刻液的重量百分比为0.5～5wt％，异丙醇胺占蚀刻液的重量百分比为1～20wt％，5‑氨基‑1H‑四唑占蚀刻液的重量百分比为0.01～0.5wt％，四羟丙基乙二胺占蚀刻液的重量百分比为1～15wt％，甘胺酸占蚀刻液的重量百分比为1～5wt％。

技术领域

本发明是有关于一种蚀刻液及显示器的制造方法，且特别是有关于一种蚀刻液及应用所述蚀刻液的显示器的制造方法。

背景技术

依据半导体元件的尺寸及功能等需求，半导体制程中包括许多制程步骤，例如沉积步骤、图案化步骤、热处理步骤…等。为了能够达到提高制程良率并且能够降低制造成本的目的，业者均致力于半导体制程中各个步骤的各种改良与研发。

发明内容

本发明是有关一种蚀刻液及显示器的制造方法。采用本发明的实施例所述的蚀刻液对金属层进行图案化制程，蚀刻后的金属层可以形成夹角小于或等于60度的侧边，因此具有相对平缓的侧边，有利于后续形成其他膜层于金属层上时，不易发生后续形成的膜层断裂或破裂的情形。

根据本发明的一实施例，提出一种蚀刻液。蚀刻液包括双氧水、丁二酸、丙二酸、醋酸、硫酸、异丙醇胺、5-氨基-1H-四唑、四羟丙基乙二胺以及甘胺酸，上述成分均匀混合于去离子水中，其中双氧水占蚀刻液的重量百分比为5～10wt％，丁二酸占蚀刻液的重量百分比为0.5～10wt％，丙二酸占蚀刻液的重量百分比为0.5～10wt％，醋酸占蚀刻液的重量百分比为1～10wt％，硫酸占蚀刻液的重量百分比为0.5～5wt％，异丙醇胺占蚀刻液的重量百分比为1～20wt％，5-氨基-1H-四唑占蚀刻液的重量百分比为0.01～0.5wt％，四羟丙基乙二胺占蚀刻液的重量百分比为1～15wt％，甘胺酸占蚀刻液的重量百分比为1～5wt％。

根据本发明的另一实施例，提出一种显示器的制造方法。显示器的制造方法包括以下步骤：提供一第一基板；形成一金属层于第一基板上；使用前述的蚀刻液对金属层进行一图案化制程；形成一显示层于金属层上；以及提供一第二基板于显示层上。

附图说明

为让本发明的上述目的、特征和优点能更明显易懂，以下结合附图对本发明的具体实施方式作详细说明，其中：

图1A～图1D绘示依照本发明一实施例的一蚀刻液蚀刻金属层的流程图。

图2绘示依照本发明一实施例的一显示器的制造方法流程图。

具体实施方式

以下参照附图详细叙述本发明的实施例。图式中相同的标号是用以标示相同或类似的部分。需注意的是，附图是已简化以利清楚说明实施例的内容，实施例所提出的细部结构仅为举例说明之用，并非对本发明欲保护的范围做限缩。本领域技术人员当可依据实际实施态样的需要对这些结构加以修饰或变化。

根据本发明的实施例，以下提出一种蚀刻液。根据本发明的实施例，蚀刻液例如是应用于显示器中的金属层的图案化制程。

一些实施例中，蚀刻液包括双氧水(H₂O₂)、丁二酸(succinic acid)、丙二酸(malnoic acid)、醋酸(acetic acid)、硫酸(sulfuric acid)、异丙醇胺(1-amino-2-propanol)、5-氨基-1H-四唑(5-amino-1H-tetrazole)、四羟丙基乙二胺(N,N,N’N’-tetrakis(2-hydroxypropyl)ethylenediamine；EDTP)以及甘胺酸(glycine)，上述成分均匀混合于去离子水中。