[发明专利]一种LED倒装芯片及其制备方法

权利要求书

1.一种LED倒装芯片，包括LED倒装芯片主体，其特征在于，于LED倒装芯片主体焊接面的P型导电区域和N型导电区域和倒装芯片主体非焊接面区域均覆盖有ODR结构，ODR结构采用全角度反射萃取出光；所述的ODR结构包括发光层和于发光层上依次堆叠的DBR反射层或第一绝缘层、金属反射层、第二绝缘层。

2.根据权利要求1所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，于第二绝缘层上还可蒸镀有金属电极结构。

3.根据权利要求2所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述的DBR反射层或第一绝缘层厚度为10-10000nm，金属反射层厚度为1-1000nm，第二绝缘层厚度为10-10000nm， 金属电极结构厚度为1-10000nm。

4.根据权利要求2所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述的DBR反射层为二氧化硅、氧化钛和氧化铝中的至少一种组成不少于两层结构的多层复合结构。

5.根据权利要求2所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述的第一绝缘层和第二绝缘层为氧化硅绝缘层或氮化硅绝缘层。

6.根据权利要求2所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述的金属反射层为铝结构反射层或银金属结构反射层。

7.根据权利要求2所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述的金属反射层采用铝金属和金金属的叠层结构。

8.根据权利要求2所述的一种LED倒装芯片，其特征在于，所述的金属电极结构为金结构电极或铝结构电极。

9.一种根据权利要求2的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，该制备方法的步骤为：

在LED倒装芯片主体焊接面的P型导电区域和N型导电区域和倒装芯片主体非焊接面区域的发光层表面依次生长DBR反射层或第一绝缘层、金属反射层，再沉积第二绝缘层，经过图形化处理暴露出金属电极结构，形成LED倒装芯片；或者在于LED倒装芯片主体焊接面的P型导电区域和N型导电区域和倒装芯片主体非焊接面区域的发光层表面依次生长DBR反射层或第一绝缘层、金属反射层，再沉积第二绝缘层、再蒸镀一层金属电极结构，形成LED倒装芯片。

10.一种根据权利要求2的LED倒装芯片的制备方法，其特征在于，该制备方法的步骤为：

在于LED倒装芯片主体焊接面的P型导电区域和N型导电区域和倒装芯片主体非焊接面区域的发光层表面依次通过气相沉积制作DBR反射层或第一绝缘层，蒸镀或溅镀金属反射层，再沉积第二绝缘层，经过图形化处理暴露出金属电极结构，形成LED倒装芯片；或者在于LED倒装芯片主体焊接面的P型导电区域和N型导电区域和倒装芯片主体非焊接面区域的发光层表面依次通过气相沉积制作DBR反射层或第一绝缘层，蒸镀或溅镀金属反射层，再沉积第二绝缘层，经过图形化处理后再蒸镀一层金属电极结构，形成LED倒装芯片。