[发明专利]一种适用于非易失性存储器的编程EFUSE电路结构

权利要求书

1.一种适用于非易失性存储器的编程EFUSE电路结构，其特征在于：包括电流源、位线选择器YSEL和EFUSE元件，电流源连接位线选择器YSEL，位线选择器YSEL连接EFUSE元件。

2.如权利要求1所述的一种适用于非易失性存储器的编程EFUSE电路结构，其特征在于：所述EFUSE元件由多晶硅电阻R_FUSE和NMOS器件WLSEL连接构成；所述位线选择器YSEL连接多晶硅电阻R_FUSE一端，多晶硅电阻R_FUSE另一端连接NMOS器件WLSEL。

3.如权利要求2所述的一种适用于非易失性存储器的编程EFUSE电路结构，其特征在于：所述电流源直接驱动多晶硅电阻R_FUSE，获取精准的编程电流；编程过程中，NMOS器件WLSEL不需要对编程电流进行限制。

4.如权利要求3所述的一种适用于非易失性存储器的编程EFUSE电路结构，其特征在于：编程过程中，所述NMOS器件WLSEL仅作为字线选择功能，工作在线性区。