[发明专利]晶圆吸盘、晶圆吸附装置以及晶圆划片机在审
申请号: | 201710319291.4 | 申请日: | 2017-05-08 |
公开(公告)号: | CN107134426A | 公开(公告)日: | 2017-09-05 |
发明(设计)人: | 秦江;岳芸;孙彬;吕超 | 申请(专利权)人: | 北京中电科电子装备有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67;H01L21/683 |
代理公司: | 北京银龙知识产权代理有限公司11243 | 代理人: | 许静,刘伟 |
地址: | 100176 北京市经*** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 吸盘 吸附 装置 以及 划片 | ||
技术领域
本发明涉及晶圆加工技术领域,尤其是,涉及一种晶圆吸盘、晶圆吸附装置以及晶圆划片机。
背景技术
在划片机划切过程中,晶圆在划切时需要固定在吸盘上。在吸盘的表面加工有吸附槽,通过使吸附槽内产生低压真空以将晶圆吸附在吸盘表面。
由于划切过程中主轴在高速的旋转,刀片在划切晶圆时产生很大的切削力,所以晶圆的吸附需要非常的稳定和可靠。而现有的吸盘,存在吸附稳定性差的问题。
吸盘的吸附力的大小将直接影响到真空吸附的稳定性,而吸附力的大小与吸盘表面设置的吸附槽的大小及形状、布局等有关。并且,如果吸附槽中落入杂质,不能及时进行清理的话,将会影响真空吸附力,从而影响吸附稳定性。而现有的吸盘,其上设有方形的吸附槽,而方形吸附槽内的杂质由于不易清理,严重地影响了其次吸附力,从而影响了吸附稳定性。
发明内容
有鉴于此,本发明提供一种真空吸附稳定性高、吸附可靠的晶圆吸盘、晶圆吸附装置以及晶圆划片设备。
为解决上述技术问题,本发明提供一种晶圆吸盘、晶圆吸附装置以及晶圆划片机。
根据本发明的一方面,提供了一种晶圆吸盘。根据本发明实施例的晶圆吸盘,包括吸盘主体,所述吸盘主体包括用于吸持晶圆的吸持面,所述吸持面上设有多个吸附槽,所述多个吸附槽与气路连通,所述气路贯穿所述吸盘主体且被设置为与真空源相连接以在所述气路和所述吸附槽内产生低压真空,其中,所述多个吸附槽形成为横截面为V字形的槽。
根据本发明的一些实施例,所述V字形的槽位于所述吸持面上的槽宽为0.2mm~0.5mm。
根据本发明的一些实施例,所述V字形的槽的两侧壁之间的夹角为45°~90°。
根据本发明的一些实施例,所述多个吸附槽在所述吸持面上沿着所述吸盘主体的径向延伸,且在所述吸盘主体的圆周方向上均匀分布。
在所述晶圆为4寸晶圆的情况下,优选地,所述吸持面上设有15-21条所述吸附槽。
根据本发明的另一些实施例,所述多个吸附槽在所述吸持面上沿着所述吸盘主体的周向延伸。
在所述晶圆为4寸晶圆的情况下,优选地,所述吸持面上设有15-21列所述吸附槽,且所述15-21列吸附槽在所述吸盘主体的径向上均匀分布。
根据本发明的一些实施例,在同一圆周上均匀地形成有多个所述吸附槽。
根据本发明的另一方面,提供了一种晶圆吸附装置。根据本发明实施例的晶圆吸附装置,包括:工作台;根据上述任一实施例所述的晶圆吸盘,所述晶圆吸盘设置在所述工作台上;和真空源,所述真空源与所述晶圆吸盘的气路相连,用于通过所述气路使晶圆吸盘的吸附槽产生低压真空以吸持晶圆。
根据本发明的又一方面,提供了一种晶圆划片机,包括:根据上述实施例的晶圆吸附装置;和晶圆切割装置,所述晶圆切割装置用于对吸附在所述晶圆吸附装置上的晶圆进行划片加工。
本发明的上述技术方案的有益效果如下:
1、根据本发明实施例的晶圆吸盘,将其用于晶圆划片机,可以满足划片机在划切晶圆时,晶圆吸盘对晶圆的吸附力更加稳定、可靠,提高了划切质量。
2、使用根据本发明实施例的晶圆吸盘,其V字型吸附槽,更加便于清理吸附槽内的杂质,从而提高吸盘的吸附力。
3、根据本发明实施例的晶圆吸盘,结构简单,经济成本较低,具有较强的实用性,可在划片机上广泛应用。
附图说明
图1为本发明图1是根据本发明实施例的晶圆划片机在进行晶圆划片加工时的结构示意图,其中:1为晶圆切割装置,2为晶圆,3为晶圆吸附装置,31为工作台,32为晶圆吸盘;
图2是根据本发明的实施例的晶圆吸盘在吸附有晶圆时的横截面的局部放大示意图,其中:2为晶圆,321为吸持面,322为吸附槽,323为气路;
图3是根据本发明的晶圆吸盘的横截面的局部放大示意图;
图4是根据本发明的一些实施例的晶圆吸盘的主视图;
图5是根据本发明的另一些实施例的晶圆吸盘的主视图。
具体实施方式
为使本发明实施例的目的、技术方案和优点更加清楚,下面将结合本发明实施例的附图,对本发明实施例的技术方案进行清楚、完整地描述。显然,所描述的实施例是本发明的一部分实施例,而不是全部的实施例。基于所描述的本发明的实施例,本领域普通技术人员所获得的所有其他实施例,都属于本发明保护的范围。
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H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造