[发明专利]薄膜晶体管、显示基板及其制作方法、显示装置有效
| 申请号： | 201710320624.5 | 申请日： | 2017-05-09 |
| 公开（公告）号： | CN106935511B | 公开（公告）日： | 2019-05-28 |
| 发明（设计）人： | 李海旭;曹占锋;姚琪;汪建国 | 申请（专利权）人： | 京东方科技集团股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L21/336 | 分类号： | H01L21/336;H01L29/786;H01L29/49;H01L27/12 |
| 代理公司： | 北京银龙知识产权代理有限公司 11243 | 代理人： | 刘伟;张博 |
| 地址： | 100015 *** | 国省代码： | 北京;11 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 显示 及其 制作方法 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
制备金属层；
对所述金属层进行化学处理，在所述金属层表面形成一层导电保护膜；
对覆盖有导电保护膜的金属层进行构图，形成薄膜晶体管的电极；
所述金属层的表层为铜层，所述对所述金属层进行化学处理包括：
在所述金属层上喷淋或涂覆包括有硅烷偶联剂的化学药液，使所述硅烷偶联剂的乙氧基与铜层中的铜原子结合，在所述铜层表面形成一层导电保护膜。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述化学药液中还包括有乙炔黑。
3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，所述化学药液中，硅烷偶联剂与乙炔黑的质量比为5：1-10：1。
4.一种薄膜晶体管，其特征在于，采用如权利要求1-3中任一项所述的制作方法制作得到，所述薄膜晶体管的电极由金属层和覆盖所述金属层的导电保护膜组成。
5.一种显示基板的制作方法，其特征在于，包括：
沉积金属层；
对所述金属层进行化学处理，在所述金属层表面形成一层导电保护膜；
对覆盖有导电保护膜的金属层进行构图，形成显示基板的导电图形；
所述金属层的表层为铜层，所述对所述金属层进行化学处理包括：
在所述金属层上喷淋或涂覆包括有硅烷偶联剂的化学药液，使所述硅烷偶联剂的乙氧基与铜层中的铜原子结合，在所述铜层表面形成一层导电保护膜。
6.根据权利要求5所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述化学药液中还包括有乙炔黑。
7.根据权利要求6所述的显示基板的制作方法，其特征在于，所述化学药液中，硅烷偶联剂与乙炔黑的质量比为5：1-10：1。
8.一种显示基板，其特征在于，采用如权利要求5-7中任一项所述的制作方法制作得到，所述显示基板的导电图形由金属层和覆盖所述金属层的导电保护膜组成。
9.一种显示装置，其特征在于，包括如权利要求8所述的显示基板。
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H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置；专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理；集成电路器件或其特殊部件的制造
