[发明专利]一种去除钛合金微弧氧化膜层残留基体的方法在审
申请号: | 201710321162.9 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN107217289A | 公开(公告)日: | 2017-09-29 |
发明(设计)人: | 郝千驹;杜楠;赵晴;王帅星 | 申请(专利权)人: | 南昌航空大学 |
主分类号: | C25D11/26 | 分类号: | C25D11/26;C25F5/00;G01N1/32 |
代理公司: | 南昌洪达专利事务所36111 | 代理人: | 刘凌峰 |
地址: | 330063 江*** | 国省代码: | 江西;36 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 去除 钛合金 氧化 残留 基体 方法 | ||
1.一种去除钛合金微弧氧化膜层残留基体的方法,其特征在于:
(1)分离前制备;
①将带有微弧氧化后试样的一面用砂纸打磨至钛合金基体暴露;
②将打磨好的试样连接上夹具并用环氧树脂进行镶嵌;
③用砂纸打磨掉基体一侧的环氧,并使其基体暴露;
④配置电解液为质量分数1.5~10%的NaCl溶液;
⑤在溶液中加入搅拌器,使搅拌器转速为650r/min;
⑥连接电路:将步骤④所配电解液倒入电解槽中,不锈钢作为阴极通过导线与电源负极连接,镶嵌打磨后的试样作为阳极通过导线与电源正极连接,组成分离所需电路;
(2)接通电源,采用恒压法,电压为15V,待基体全部溶解后取出膜层,在溶解过程中检测溶液的pH值,并用稀盐酸调节pH值,使电解溶液保持中性;
(3)将步骤(2)获得的微弧氧化试样用去离子水浸泡10min后取出,烘干以备后续使用。
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