[发明专利]一种半桥功率半导体模块

说明书

本发明公开了一种半桥功率半导体模块，包括：位于底层的半导体芯片组；位于顶层的低感复合母排，低感复合母排的两侧分别延伸设置有交流接口和正负层接口，低感复合母排包括叠层设置的负层母排、正层母排和交流层母排；位于中间层相互并联的若干汇流母排组，其中，各汇流母排组的底端和半导体芯片组中的相应半导体芯片连接，各汇流母排组的顶部汇流端和低感复合母排的对应母排连接。半导体芯片组为功率模块的主功能部分，低感复合母排的交流接口和正负层接口作为功率模块的主电路外部接口，汇流母排组实现低感复合母排和半导体芯片组的导电连接，兼顾了汇流母排组以及半导体芯片组的各芯片之间的均流性，提高了功率模块的低感性和均流性。

技术领域

本发明涉及电力电子技术领域，特别是涉及一种半桥功率半导体模块。

背景技术

随着科学技术的发展，电力电子技术取得了很多的成就。其中，功率模块是电力电子中常用的组件。

功率模块为变流器的核心部件，广泛应用于轨道交通和工业变频等领域。目前，内部为半桥电路的功率模块主要集中在低压中小功率段，针对高压大功率半导体模块主要采用单管布局的方案。目前的功率模块尤其是在高压大功率应用方面还有许多缺点，主要表现如下：由于其采用单管设计，功率密度不高；内部芯片到外部功率端子的连接主要还是采用传统的铜排，使其低感性较差；多芯片均流性较差或采用模块外部布置低感母排的电感均流方式，均流性难以控制。

因此，如何提高功率模块的低感性和均流性，是本领域技术人员目前需要解决的技术问题。

发明内容

本发明的目的是提供一种半桥功率半导体模块，可以提高功率模块的低感性和均流性。

为解决上述技术问题，本发明提供了如下技术方案：

一种半桥功率半导体模块，包括：

位于底层的半导体芯片组；

位于顶层的低感复合母排，所述低感复合母排的两侧分别延伸设置有交流接口和正负层接口，所述低感复合母排包括叠层设置的负层母排、正层母排和交流层母排；

位于中间层相互并联的若干汇流母排组，其中，各所述汇流母排组的底端和所述半导体芯片组中的相应半导体芯片连接，各所述汇流母排组的顶部汇流端和所述低感复合母排的对应母排连接。

优选地，各所述汇流母排组均包括：

正汇流母排，所述正汇流母排的底端引脚和所述半导体芯片组中的对应上管芯片的集电极连接，所述正汇流母排的顶部汇流端和所述正层母排连接；

负汇流母排，所述负汇流母排的底端引脚和所述半导体芯片组中的对应下管芯片的发射极连接，所述负汇流母排的顶部汇流端和所述负层母排连接；

交流汇流母排，所述交流汇流母排的底端引脚和所述半导体芯片组中的对应上管芯片和下管芯片的公共极连接，所述交流汇流母排的顶部汇流端和所述交流层母排连接。

优选地，各所述汇流母排组中的正汇流母排、负汇流母排和交流汇流母排相互平行，且相邻的两个汇流母排之间设有绝缘部。

优选地，所述汇流母排组的底端的各管脚为两层折弯管脚。

优选地，所述低感复合母排上设有预设数目的接口孔，所述汇流母排组的顶部的各汇流端设有和对应的接口孔配合插接的汇流端凸起。

优选地，在所述正汇流母排的相邻两个引脚之间的预设位置设置有一个延伸方向背离各所述引脚的所述汇流端凸起。

优选地，在所述负汇流母排的相邻两个引脚之间的预设位置设置有一个延伸方向背离各所述引脚的所述汇流端凸起。

优选地，在所述交流汇流母排的相邻两个引脚之间的预设位置设置有一个延伸方向背离各所述引脚的所述汇流端凸起。