[发明专利]有机电致发光器件及其制备方法、显示装置

说明书

本发明实施例提供一种有机电致发光器件，包括：阳极层和空穴注入层，所述有机电致发光器件还包括：阳极缓冲层，所述阳极缓冲层设置在所述阳极层和所述空穴注入层之间，所述阳极缓冲层的带隙宽度至少为10ev。本发明实施例还提供一种有机电致发光器件的制备方法和显示装置。本发明实施例中，通过在阳极层和空穴注入层之间设置带隙宽度较大的阳极缓冲层，从而使得该阳极缓冲层具有较大的电阻，可以阻止阳极层的微小凸起导致的漏电流在有机电致发光器件中的传输，从而避免漏电流的不利影响，延长有机电致发光器件的寿命，改善有机电致发光器件的发光效率。

技术领域

本发明涉及有机电致发光器件技术领域，特别是涉及一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置。

背景技术

目前，AMOLED(Active-matrix organic light emitting diode，有源矩阵有机发光二极体)显示装置的有机电致发光二极管的反射金属和阳极ITO通常是采用磁控溅射/化学气相沉积等方法来制备。

由于阳极ITO的表面特性很难控制，阳极ITO的膜层表面容易出现一些缺陷。因此，在制作有机电致发光器件的阳极ITO时，阳极ITO表面易产生微小凸起。这些微小凸起易导致有机电致发光器件存在漏电流，从而影响有机电致发光器件的寿命，并且使得有机电致发光器件的发光效率较差，进而影响显示装置的显示效果。

发明内容

本发明实施例提供一种有机电致发光器件及其制备方法、显示装置，以解决现有技术的有机电致发光器件的阳极层的微小凸起易导致有机电致发光器件存在漏电流的问题。

第一方面，提供一种有机电致发光器件，包括：阳极层和空穴注入层，所述有机电致发光器件还包括：阳极缓冲层，所述阳极缓冲层设置在所述阳极层和所述空穴注入层之间，所述阳极缓冲层的带隙宽度至少为10ev。

进一步：所述阳极缓冲层的HOMO能级与所述阳极层的HOMO能级的差值的绝对值小于0.5ev；所述阳极缓冲层的HOMO能级与所述空穴注入层的HOMO能级的差值的绝对值小于0.5ev，或者，所述阳极缓冲层的HOMO能级与所述空穴注入层的LUMO能级的差值的绝对值小于0.5ev。

进一步：所述阳极缓冲层的厚度为0.5～5nm。

进一步，所述阳极缓冲层的材料选自如下的至少一种：LiF、CsF、NaF和KF。

进一步，所述有机电致发光器件还包括：依次层叠设置的基板、驱动电路、反射层、空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极层和光取出层；其中，所述阳极层、所述阳极缓冲层和所述空穴注入层设置在所述反射层和所述空穴传输层之间，所述阳极层与所述反射层相邻，所述空穴注入层与所述空穴传输层相邻。

第二方面，提供一种有机电致发光器件的制备方法，包括：在阳极层的一表面上形成阳极缓冲层；在所述阳极缓冲层的一表面上形成空穴注入层；其中，所述阳极缓冲层的带隙宽度至少为10ev。

进一步：所述阳极缓冲层的HOMO能级与所述阳极层的HOMO能级的差值的绝对值小于0.5ev；所述阳极缓冲层的HOMO能级与所述空穴注入层的HOMO能级的差值的绝对值小于0.5ev，或者，所述阳极缓冲层的HOMO能级与所述空穴注入层的LUMO能级的差值的绝对值小于0.5ev。

进一步：所述阳极缓冲层的厚度为0.5～5nm。

进一步，所述在阳极层的一表面上形成阳极缓冲层的步骤之前，所述方法还包括：在基板的一表面上依次形成层叠设置的驱动电路、反射层和阳极层；所述在所述阳极缓冲层的一表面上形成空穴注入层的步骤之后，所述方法还包括：在所述空穴注入层的一表面上依次形成层叠设置的空穴传输层、电子阻挡层、发光层、空穴阻挡层、电子传输层、电子注入层、阴极层和光取出层。

第三方面，提供一种显示装置，包括：上述的有机电致发光器件。