[发明专利]一种同或门电路及抗核辐射芯片

说明书

技术领域

本发明涉及集成电路技术领域，特别涉及一种同或门电路及抗核辐射芯片。

背景技术

随着我国综合国力的增强，针对核事故/核战争的救援关键技术装备已上升为国家战略技术装备储备的重中之重。核事故/核战争救援装备，从技术上而言，可以分为两个关键层次:一是电子信息系统的抗核辐射芯片技术与抗核辐射加固技术，二是具备抗核技术的智能化的无人装备如无人车/机器人/无人机/无人艇等。

我国目前只在航天卫星领域采用了抗辐射芯片加固技术，因为外层空间的单粒子效应的影响，长期的照射会使电子系统的基本单元门电路损坏、闩锁不翻转，从而导致整个电子系统的失效。但是在航空、兵器尤其是核工程领域，我国抗核芯片的应用还是空白。

随着我国经济实力的增强，核电站的增多，如何在发生战术核战争、核电站事故、核工程灾难等离子射线强烈的环境中，飞机、无人机还能飞，地面车辆还可正常行驶，这就使抗核技术的难题需要投入重大资金去攻克。

纵观世界的核事故救援历史，如俄罗斯、日本等国的核事故，可以发现，他们目前并不具有抗核芯片加固的无人车、无人机等技术。抗辐射芯片设计技术目前只有少数核大国拥有。其中，同或门电路是抗辐射芯片中的常用元件，也是关键元件之一，因此对同或门电路进行加固，使其具有较强的抗核辐射能力是亟待解决的关键技术之一。

发明内容

本发明实施例的目的在于提供一种同或门电路及抗核辐射芯片，能够使同或门电路具有较强的抗核辐射能力。

为了达到上述目的，本发明的实施例提供了一种同或门电路，包括：第一阈值增强型反相器、第二阈值增强型反相器以及同或门本体。其中，第一阈值增强型反相器的输入端与同或门本体的第一输入端连接，第一阈值增强型反相器的输出端与同或门本体的第二输入端连接，第二阈值增强型反相器的输入端与同或门本体的第三输入端连接，第二阈值增强型反相器的输出端与同或门本体的第四输入端连接。

其中，同或门本体包括：PMOS传输门、NMOS传输门以及同或门输出端。其中，PMOS传输门的第一输入端与第一阈值增强型反相器的输出端连接，PMOS传输门的第二输入端与第二阈值增强型反相器的输出端连接，PMOS传输门的第三输入端与第二阈值增强型反相器的输入端连接，PMOS传输门的第四输入端与第一阈值增强型反相器的输入端连接，

NMOS传输门的第一输入端与第一阈值增强型反相器的输出端连接，NMOS传输门的第二输入端与第二阈值增强型反相器的输入端连接，NMOS传输门的第三输入端与第一阈值增强型反相器的输入端连接，NMOS传输门的第四输入端与第二阈值增强型反相器的输出端连接，PMOS传输门的输出端与NMOS传输门的输出端均与同或门输出端连接。

其中，PMOS传输门包括：第一PMOS管、第二PMOS管、第三PMOS管以及第四PMOS管。其中，第一PMOS管的源极与第一电源连接，第一PMOS管的漏极与第二PMOS管的源极连接，第二PMOS管的漏极与第三PMOS管的源极以及同或门输出端连接，第三PMOS管的漏极与第四PMOS管的源极连接，第四PMOS管的漏极与第二电源连接，第一PMOS管的栅极与第一阈值增强型反相器的输出端连接，第二PMOS管的栅极与第二阈值增强型反相器的输出端连接，第三PMOS管的栅极与第二阈值增强型反相器的输入端连接，第四PMOS管的栅极与第一阈值增强型反相器的输入端连接。

其中，NMOS传输门包括：第一NMOS管、第二NMOS管、第三NMOS管以及第四NMOS管。其中，第一NMOS管的源极与第三电源连接，第一NMOS管的漏极与第二NMOS管的源极连接，第二NMOS管的漏极与第三NMOS管的源极以及同或门输出端连接，第三NMOS管的漏极与第四NMOS管的源极连接，第四NMOS管的漏极与第四电源连接，第一NMOS管的栅极与第一阈值增强型反相器的输出端连接，第二NMOS管的栅极与第二阈值增强型反相器的输入端连接，第三NMOS管的栅极与第一阈值增强型反相器的输入端连接，第四NMOS管的栅极与第二阈值增强型反相器的输出端连接。

其中，第一阈值增强型反相器为一加固反相器。

其中，第二阈值增强型反相器为一加固反相器。

本发明的实施例还提供了一种抗核辐射芯片，包括上述的同或门电路。