[发明专利]鳍式结构的制作方法

说明书

本发明揭示了一种鳍式结构的制作方法，包括提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个鳍；在所述半导体衬底上和所述多个鳍上形成氧化层；使得所述氧化层的上表面平整；回刻所述氧化层至暴露出所述多个鳍的部分高度。由此，通过使得氧化层的上表面平整，确保了之后回刻暴露出的多个鳍的高度相同，提高了鳍式结构的均匀性。

技术领域

本发明涉及半导体技术领域，特别是涉及一种鳍式结构的制作方法。

背景技术

随着半导体元件尺寸的缩小，维持小尺寸半导体元件的效能是目前业界的主要目标。然而，随着鳍式场效应晶体管(FinField-EffectTransistor，FinFET)元件尺寸持续地缩小，平面式鳍式场效应晶体管的制作方法元件的发展已面临制作工艺上的极限。非平面式鳍式场效应晶体管的制作方法元件，具有立体结构可增加与栅极之间接触面积，进而提升栅极对于通道区域的控制，俨然已取代平面式鳍式场效应晶体管的制作方法，成为目前的主流发展趋势。

但在尺寸微缩的要求下，各鳍宽度渐窄，而鳍之间的间距也渐缩小。因此，其制作工艺也面临许多限制与挑战。

发明内容

本发明的目的在于提供一种鳍式结构的制作方法，提高鳍式结构的均匀性。

为解决上述技术问题，本发明提供一种鳍式结构的制作方法，包括：

提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个鳍；

在所述半导体衬底上和所述多个鳍上形成氧化层；

使得所述氧化层的上表面平整；

回刻所述氧化层至暴露出所述多个鳍的部分高度。

可选的，对于所述的鳍式结构的制作方法，使得所述氧化层的上表面平整包括：先采用化学机械研磨工艺对所述氧化层进行处理，再采用干法刻蚀对所述氧化层进行处理，以使得所述氧化层的上表面平整。

可选的，对于所述的鳍式结构的制作方法，所述干法刻蚀为采用蜂窝状静电吸盘刻蚀设备进行刻蚀。

可选的，对于所述的鳍式结构的制作方法，所述干法刻蚀为采用包括氟的气体进行刻蚀。

可选的，对于所述的鳍式结构的制作方法，在提供半导体衬底，所述半导体衬底上形成有多个鳍中，所述多个鳍上还形成有第一掩膜层。

可选的，对于所述的鳍式结构的制作方法，所述氧化层还形成在所述第一掩膜层上。

可选的，对于所述的鳍式结构的制作方法，所述使得所述氧化层的上表面平整为使得所述氧化层与所述第一掩膜层顶端齐平。

可选的，对于所述的鳍式结构的制作方法，使得所述氧化层的上表面平整之后；在回刻所述氧化层至暴露出所述多个鳍的部分高度之前，所述鳍式结构制作方法还包括：去除所述第一掩膜层。

可选的，对于所述的鳍式结构的制作方法，采用湿法刻蚀去除所述第一掩膜层。

可选的，对于所述的鳍式结构的制作方法，采用干法刻蚀回刻所述氧化层。

可选的，对于所述的鳍式结构的制作方法，回刻所述氧化层至暴露出所述多个鳍的部分高度之后，所述鳍式结构制作方法还包括：

形成第二掩膜层覆盖所述多个鳍中的一部分，另一部分暴露出来；

对暴露出来的另一部分鳍进行原位氧化。

可选的，对于所述的鳍式结构的制作方法，所述第二掩膜层为光阻层。