[发明专利]一种光探测器及其制备方法

权利要求书

1.一种光探测器，其特征在于，从下至上依次为：支撑衬底、绝缘层、界面钝化层、锗衬底、界面钝化层、绝缘层。

2.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述锗衬底厚度为10nm至400nm。

3.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述绝缘层的材料包括但不限于氧化硅，氧化铝及氧化铪。

4.根据权利要求1所述的光探测器，其特征在于，所述界面钝化层的材料包括但不限于氧化锗及硅。

5.一种光探测器的制备方法，其特征在于，该方法包括以下步骤：

1)提供一锗衬底，于所述锗衬底表面形成第一绝缘层和界面钝化层；

2)将形成了第一绝缘层和界面钝化层的锗衬底采用衬底键合工艺转移到一生长了第二绝缘层的支撑衬底上，形成绝缘层上锗结构；

3)减薄所述绝缘层上锗的锗衬底厚度；

4)于所述绝缘层上锗的锗衬底上形成绝缘层上锗/界面钝化层/第三绝缘层结构；

5)于所述绝缘层上锗的锗衬底上制作重掺杂区域和电极。

6.根据权利要求5所述的光探测器的制备方法，其特征在于，步骤1)中，采用原子层沉积工艺于所述锗衬底形成第一绝缘层。

7.根据权利要求5所述的光探测器的制备方法，其特征在于，步骤1)中，采用低温臭氧氧化及等离子体氧化工艺于锗衬底和第一绝缘层之间形成界面钝化层。

8.根据权利要求7所述的光探测器的制备方法，其特征在于，所述低温臭氧氧化及等离子体氧化工艺所用温度为25℃至350℃。

9.根据权利要求5所述的光探测器的制备方法，其特征在于，步骤3)中，采用机械研磨、化学机械研磨和选择性刻蚀等方法，减薄绝缘层上锗的锗衬底厚度，所述选择性刻蚀方法包括反应离子刻蚀和化学湿法刻蚀。

10.根据权利要求5所述的光探测器的制备方法，其特征在于，步骤3)中，所述绝缘层上锗的锗衬底厚度从100μm以上减小到500nm。