[发明专利]一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极在审
申请号: | 201710322187.0 | 申请日: | 2017-05-09 |
公开(公告)号: | CN108728808A | 公开(公告)日: | 2018-11-02 |
发明(设计)人: | 李伟;张奇龙 | 申请(专利权)人: | 杭州朗为科技有限公司 |
主分类号: | C23C14/35 | 分类号: | C23C14/35 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 310000 浙江省杭州市*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 磁钢 靶材 磁控溅射阴极 靶材利用率 磁轭 刻蚀 左右对称分布 阴极 磁路闭合 磁路结构 镀膜效果 工作效率 磁力 传统的 对称轴 洁净度 均匀性 真空室 对靶 膜层 磁场 平坦 保证 生产 | ||
1.一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极,包括磁钢(1)和磁轭(2),其特征在于,一个阴极包括七道磁钢(1),一个所述磁轭(2)与七道磁钢(1)通过磁力相连接,相邻的两道磁钢(1)互相磁路闭合,所有的磁钢(1)均以正中间磁钢(1)为对称轴左右对称分布,且所有的磁钢(1)共同形成U字型的磁场。
2.根据权利要求1所述的一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极,其特征在于,七道磁钢(1)非等距离分布。
3.根据权利要求1所述的一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极,其特征在于,七道磁钢(1)非等高度。
4.根据权利要求1所述的一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极,其特征在于,七道磁钢(1)非等宽度。
5.根据权利要求1所述的一种高靶材利用率的矩形磁控溅射阴极,其特征在于,每道磁钢(1)内均含有若干个磁钢(1)。
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