[发明专利]BiCMOS集成电路器件的制造方法及器件

权利要求书

1.一种BiCMOS集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述BiCMOS集成电路器件包含第一场效应晶体管和第一双极晶体管，所述BiCMOS集成电路器件的制造方法包括：

提供第一衬底，所述第一衬底具有平行的第一表面和第二表面，所述第一衬底包括位于所述第一表面下的第一半导体层；

在所述第一衬底的第一表面上制备第一场效应晶体管的第一栅极，并利用第一栅极做掩膜向第一半导体层内注入掺杂离子，形成第一场效应晶体管的第一源极掺杂区和第一漏极掺杂区、以及形成第一双极晶体管的第一基极掺杂区和第一发射极掺杂区；

在所述第一衬底的第一表面上形成覆盖第一栅极和第一表面的第一介电质层，所述第一介电质层与所述第一衬底背离的表面为第三表面；

提供第二衬底，所述第二衬底具有平行的第四表面和第五表面；

通过所述第一介电质层的第三表面和第二衬底的第四表面，将第二衬底与第一介电质层键合；

以第二衬底为底部衬托，通过第一衬底的第二表面减薄第一衬底，使得第一半导体层厚度减至第二厚度，并形成第六表面；

从第六表面注入第一双极晶体管的第一集电极掺杂区。

2.如权利要求1所述的BiCMOS集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述BiCMOS集成电路器件进一步包含第二场效应晶体管，所述BiCMOS集成电路器件的制造方法进一步包括：

在所述第一衬底的第一表面上制备第二场效应晶体管的第二栅极，并利用第二栅极做掩膜向第一半导体层内注入掺杂离子，形成第二场效应晶体管的第二源极掺杂区和第二漏极掺杂区；其中，所述第一场效应晶体管和第二场效应晶体管分别为N型和P型场效应晶体管。

3.如权利要求1所述的BiCMOS集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述BiCMOS集成电路器件进一步包括第二双极晶体管，所述BiCMOS集成电路器件的制造方法进一步包括：

从第一表面向第一半导体层内注入掺杂离子，形成第二双极晶体管的第二基极掺杂区和第二发射极掺杂区；其中，所述第一双极晶体管和第二双极晶体管分别为NPN型和PNP型双极晶体管。

4.如权利要求1所述的BiCMOS集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述BiCMOS集成电路器件的制造方法进一步包括：

通过局部物理加热的方式对第一半导体层内的所述第一双极晶体管的第一集电极掺杂区进行激活。

5.如权利要求4所述的BiCMOS集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述局部物理加热的方式对第一半导体层内的所述第一双极晶体管的第一集电极掺杂区进行激活，采用通过所述第六表面照射激光、通过激光对第六表面下第一半导体层局部实现加热的方式。

6.如权利要求1所述的BiCMOS集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述BiCMOS集成电路器件的制造方法进一步包括：

从第一表面注入，形成第一半导体层内包括第一场效应晶体管的第一源极掺杂区和第一漏极掺杂区的第一阱掺杂区。

7.如权利要求2所述的BiCMOS集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述BiCMOS集成电路器件的制造方法，进一步包括：

从第一表面注入，形成第一半导体层内包括第二场效应晶体管的第二源极掺杂区和第二漏极掺杂区的第二阱掺杂区。

8.如权利要求1所述的BiCMOS集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述BiCMOS集成电路器件的制造方法进一步包括：

从第一表面注入于第一半导体层内包括第一双极晶体管的第一基极掺杂区和第一发射极掺杂区的第三阱掺杂区。

9.如权利要求3所述的BiCMOS集成电路器件的制造方法，其特征在于，所述BiCMOS集成电路器件的制造方法进一步包括：

从第一表面注入于第一半导体层内包括第二双极晶体管的第二基极掺杂区和第二发射极掺杂区的第四阱掺杂区。