[发明专利]一种低功耗带隙基准源及电源装置

说明书

本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种低功耗带隙基准源及电源装置。本发明中的一种低功耗带隙基准源，包括输入稳压电路和基准源产生电路。本发明还提供了一种电源装置。本发明在传统带隙基准电压电路的基础上，通过增加温度补偿支路，降低了输出电压的温度系数，并且具有较低的功耗。

技术领域

本发明涉及模拟电路技术领域，尤其涉及的是一种低功耗带隙基准源及电源装置。

背景技术

基准电压产生电路是模拟电路设计、混合信号电路设计以及数字设计中的基本模块单元，它的作用是为系统提供一个不随温度及供电电压变化的基准电压。在基准电压产生电路中，温度系数(TC，Temperature Coefficient)和电源抑制比(PSRR，Power SupplyRejection Ratio)这两个参数对电源性能的好坏起着决定性的作用，高精度、低功耗、高电源抑制比、低温度系数的基准电压产生电路对于整个电路来说至关重要。传统的带隙基准电压通过将两个具有正负温度系数的电压进行线性叠加即可得到零温度系数的基准电压。两个双极型三极管的基极-发射极电压的差值是与绝对温度成正比的，双极晶体管的基极-发射极电压具有负温度系数性质，利用这两种不同性质的电压配以一定的比例得到与温度变化无关的基准电压。由于传统的基准电压产生电路只进行线性补偿，精度差，在温度范围变化较大时，产生的电压通常不太理想，尤其是在一些对电压精度要求比较高的电路中，线性补偿后产生的电压远远不能满足要求。基于此，本发明提供了一种具有更高精度的低功耗带隙基准源。另外，本发明还提供了一种电源装置。

发明内容

本发明的目的是为了解决现有技术中带隙基准源温度系数高、功耗高的问题，提供了一种更高精度的低功耗带隙基准源及电源装置。

本发明提供了一种低功耗带隙基准源，包括输入稳压电路和基准源产生电路；所述输入稳压电路包括第一运算放大器OP1，第一运算放大器OP1正向输入端连接输入电压VIN，第一运算放大器OP1的输出端连接第一PMOS管P1的栅极和第一电容C1的一端，第一PMOS管P1的源极连接电压VDD，第一PMOS管P1的漏极连接第一电容C1的另一端和第一电阻R1的一端，第一电阻R1的另一端连接第一运算放大器OP1的反向输入端和第二电阻R2的一端，第二电阻R2的另一端接地；所述基准源产生电路包括：第二PMOS管P2，第二PMOS管P2的源极连接第一PMOS管P1的漏极，第二PMOS管P2的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端，第二PMOS管P2的漏极连接第一NMOS管N1的漏极和栅极以及第二NMOS管N2的栅极，第一NMOS管N1的源极连接第三电阻R3的第一端，第三电阻R3的另一端接地；第四电阻R4的一端连接第一PMOS管P1的漏极，第四电阻R4的另一端连接第三PMOS管P3的源极，第三PMOS管P3的栅极连接第二运算放大器OP2的输出端，第三PMOS管P3的漏极连接第五电阻R5的一端，第五电阻R5的另一端连接第六电阻R6、第七电阻R7的一端以及第二NMOS管N2的漏极，第二NMOS管N2的源极接地，第六电阻R6的另一端连接第八电阻R8的一端和第二运算放大器OP2的反向输入端，第八电阻R8的另一端连接第一三极管Q1的发射极，第七电阻R7的另一端连接第二运算放大器OP2的正向输入端和第二三极管Q2的发射极，第一三极管Q1的集电极接地，第一三极管Q1的基极连接第九电阻R9的一端，第九电阻R9的另一端接地，第二三极管Q2的集电极接地，第二三极管Q2的基极连接第十电阻R10的一端，第十电阻R10的另一端接地，第三PMOS管P3的漏极即为基准源电路的输出端VOUT。所述第一三极管Q1、第二三极管Q2均为PNP管。