[发明专利]线路接收器以及驱动负载的方法有效
申请号: | 201710324590.7 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN107453757B | 公开(公告)日: | 2020-12-18 |
发明(设计)人: | 拉米·阿瓦德 | 申请(专利权)人: | 联发科技股份有限公司 |
主分类号: | H03M1/12 | 分类号: | H03M1/12;H03M1/38 |
代理公司: | 北京市万慧达律师事务所 11111 | 代理人: | 王蕊;白华胜 |
地址: | 中国台湾新竹市*** | 国省代码: | 台湾;71 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 线路 接收器 以及 驱动 负载 方法 | ||
1.一种线路接收器,其特征在于,包括:
缓冲器,用于在第一时间段接收模拟信号,并根据所述接收的模拟信号提供输出信号给负载,其中,所述缓冲器包括至少两个晶体管;
电容元件,始终耦接于所述至少两个晶体管的栅极之间,用于在所述第一时间段向所述至少两个晶体管的所述栅极提供直流信号;
第一开关,耦接于所述电容元件的一端,用于在第二时间段将所述电容元件耦接于直流参考电压;以及
第二开关,耦接于所述电容元件的所述一端,用于在所述第一时间段将所述模拟信号提供给所述缓冲器和所述电容元件。
2.如权利要求1所述的线路接收器,其特征在于,所述线路接收器还包括:
第三开关,用于将所述缓冲器耦接于所述负载。
3.如权利要求1所述的线路接收器,其特征在于,所述第一时间段和所述第二时间段不重叠。
4.如权利要求1所述的线路接收器,其特征在于,所述至少两个晶体管包括P沟道金属氧化物半导体晶体管和N沟通金属氧化物半导体晶体管。
5.如权利要求1所述的线路接收器,其特征在于,还包括:
控制电路,耦接于所述第一开关,用于在所述第二时间段将所述第一开关放置到导电状态。
6.如权利要求1所述的线路接收器,其特征在于,所述负载包括模拟-数字转换器。
7.如权利要求1所述的线路接收器,其特征在于,所述直流参考电压小于1V。
8.一种线路接收器,其特征在于,包括:
模拟-数字转换器;
源极跟随电路,耦接于所述模拟-数字转换器,用于在第一时间段使用模拟信号驱动所述模拟-数字转换器,其中,所述源极跟随电路包括至少两个晶体管;
电容元件,始终耦接于所述至少两个晶体管的栅极之间,用于在所述第一时间段向所述至少两个晶体管的所述栅极提供直流信号;
第一开关,耦接于所述电容元件的一端,用于在第二时间段将所述电容元件耦接于直流参考电压;以及
第二开关,耦接于所述电容元件的所述一端,用于在所述第一时间段将所述模拟信号提供给所述源极跟随器和所述电容元件。
9.如权利要求8所述的线路接收器,其特征在于,所述电容元件在一个线性区间内偏置所述源极跟随电路。
10.如权利要求8所述的线路接收器,其特征在于,所述第一开关用于在所述第二时间段将所述电容元件充电为小于1V的直流参考电压。
11.如权利要求8所述的线路接收器,其特征在于,还包括:
控制电路,耦接于所述第一开关,用于在所述第二时间段将所述开关放置到导电状态。
12.如权利要求8所述的线路接收器,其特征在于,所述至少两个晶体管包括P沟道金属氧化物半导体晶体管和N沟通金属氧化物半导体晶体管。
13.如权利要求12所述的线路接收器,其特征在于,所述N沟通金属氧化物半导体晶体管为第一N沟通金属氧化物半导体晶体管,所述P沟道金属氧化物半导体晶体管为第一P沟道金属氧化物半导体晶体管,所述线路接收器还包括:
偏置电路,耦接于所述电容元件,所述偏置电路包括第二P沟道金属氧化物半导体晶体管和第二N沟通金属氧化物半导体晶体管。
14.如权利要求12所述的线路接收器,其特征在于,所述P沟道金属氧化物半导体晶体管和所述N沟通金属氧化物半导体晶体管通过源极彼此耦接。
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