[发明专利]中介层、半导体封装结构及半导体工艺

权利要求书

1.一种中介层，其包括：

互连结构，其包括：

金属层，其界定具有侧壁的至少一个通孔；

至少一个金属导通体，其安置在所述通孔中，且在所述至少一个金属导通体与所述通孔的所述侧壁之间具有空间；以及

隔离材料，其填充所述空间；以及

重布层，其安置在所述互连结构的表面上且电连接到所述金属导通体。

2.根据权利要求1所述的中介层，其中所述金属导通体渐缩。

3.根据权利要求1所述的中介层，其中安置在所述通孔中的所述至少一个金属导通体为安置在所述通孔中的单个金属导通体，且所述空间从上面看具有环形形状且环绕所述金属导通体。

4.根据权利要求1所述的中介层，其中所述金属导通体朝向所述金属导通体的第一表面向内弯曲且朝向所述金属导通体的第二表面向内或向外弯曲，所述第二表面与所述第一表面相对。

5.根据权利要求1所述的中介层，其中所述重布层包括一或多个绝缘层、一或多个电路层及一或多个互连元件，且其中最接近于所述互连结构的第一绝缘层延伸到所述空间中且包含所述隔离材料。

6.根据权利要求1所述的中介层，其中所述互连结构的所述表面为第一表面且所述互连结构具有与所述第一表面相对的第二表面，且所述重布层为在所述互连结构的所述第一表面上的第一重布层，所述中介层进一步包括在所述互连结构的所述第二表面上的第二重布层，所述第一重布层通过所述至少一个金属导通体电连接到所述第二重布层。

7.一种半导体工艺，其包括：

(a)将金属层附接在载体上；

(b)将部分所述金属层移除以形成通孔及至少一个金属导通体，其中所述至少一个金属导通体安置在所述通孔中，且所述至少一个金属导通体由空间与所述通孔的侧壁分离；以及

(c)形成重布层在所述金属层上，其中所述重布层电连接到所述至少一个金属导通体。

8.根据权利要求7所述的半导体工艺，其中在(a)中，所述金属层粘合到所述载体，且在(b)中，通过蚀刻移除所述部分金属层。

9.根据权利要求7所述的半导体工艺，其中在(b)之后，所述半导体工艺进一步包括：

(b1)将隔离材料填充在所述空间中。

10.根据权利要求7所述的半导体工艺，其中在(c)中形成所述重布层包含形成绝缘层在所述金属层上，所述绝缘层延伸到所述空间中以在所述至少一个金属导通体与所述通孔的所述侧壁之间形成隔离材料。

11.根据权利要求7所述的半导体工艺，其中所述重布层为第一重布层，且在(c)中，所述第一重布层形成在所述金属层的第一表面上，且所述半导体工艺进一步包括：

(d)将半导体裸片附接在所述第一重布层上；

(e)将所述载体从所述金属层分离；

(f)形成第二重布层在所述金属层的第二表面上；以及

(g)形成至少一个外部连接元件在所述第二重布层上。