[发明专利]一种GaAs光电阴极的化学清洗方法在审
| 申请号： | 201710324608.3 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN107123582A | 公开（公告）日： | 2017-09-01 |
| 发明（设计）人： | 张益军;冯琤;张翔;张景智;钱芸生;张俊举 | 申请（专利权）人： | 南京理工大学 |
| 主分类号： | H01J9/12 | 分类号： | H01J9/12;B08B3/08;B08B3/12 |
| 代理公司： | 南京理工大学专利中心32203 | 代理人： | 吴茂杰 |
| 地址： | 210094 *** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 一种 gaas 光电 阴极 化学 清洗 方法 | ||
【权利要求书】：
1.一种GaAs光电阴极的化学清洗方法，其特征在于，包括如下步骤：
(10)脱脂清洗：将GaAs光电阴极置入有机溶剂，进行超声波脱脂清洗；
(20)刻蚀清洗：将经过脱脂清洗的GaAs光电阴极置入刻蚀液，进行刻蚀清洗；
(30)去离子水冲洗：将经过刻蚀清洗的GaAs光电阴极用去离子水进行冲洗，得到清洁的GaAs光电阴极。
2.根据权利要求1所述的化学清洗方法，其特征在于，所述(10)脱脂清洗步骤具体为：
将GaAs光电阴极依次置入四氯化碳、丙酮、无水乙醇和去离子水中进行超声波脱脂清洗，清洗时间不少于5分钟。
3.根据权利要求1所述的化学清洗方法，其特征在于，所述(20)刻蚀清洗步骤包括：
(21)氢氟酸刻蚀：将经过脱脂清洗的GaAs光电阴极置入氢氟酸溶液，刻蚀时间不少于5分钟；
(22)混合液刻蚀：将经过氢氟酸刻蚀的GaAs光电阴极置入盐酸异丙醇混合溶液，刻蚀时间不少于5分钟。
4.根据权利要求3所述的化学清洗方法，其特征在于，所述氢氟酸溶液的浓度为40％。
5.根据权利要求2所述的化学清洗方法，其特征在于，所述盐酸异丙醇混合溶液中，盐酸溶液HCl含量为36％～38％，盐酸和异丙醇混合比例为1:10。
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