[发明专利]晶种的铺设方法及类单晶晶锭的制作方法

权利要求书

1.一种晶种的铺设方法，其特征在于，包括：

铺设一拼接晶种层于一长晶容器的底部，其中所述拼接晶种层包括多个单晶块以及多个单晶挡片，所述单晶块经配置而位于所述长晶容器的底部且彼此不接触，所述单晶挡片分别夹设于相邻的所述单晶块之间的间隙并分别与相邻的至少一所述单晶块接触，所述单晶挡片的宽度小于所述单晶块的宽度，所述单晶块的晶向相同且朝向同一方向，所述单晶挡片的主要晶向与所述单晶块的主要晶向相同，且各所述单晶挡片的次要晶向与所述单晶块的次要晶向分别具有一不为0度的夹角。

2.根据权利要求1所述的铺设方法，其特征在于，各所述单晶挡片的次要晶向与所述单晶块的次要晶向的夹角介于1度至40度之间。

3.根据权利要求1所述的铺设方法，其特征在于，所述单晶块与所述单晶挡片的主要晶向为100。

4.根据权利要求1所述的铺设方法，其特征在于，所述单晶块与所述单晶挡片的材料包括硅。

5.根据权利要求1所述的铺设方法，其特征在于，所述单晶挡片的宽度与所述单晶块的宽度的比值介于0.32％与2.82％之间。

6.根据权利要求1所述的铺设方法，其特征在于，所述单晶挡片的宽度介于0.5mm与4mm之间。

7.根据权利要求1所述的铺设方法，其特征在于，所述单晶挡片的面积与所述长晶容器的底部面积的比值介于2％与20％之间。

8.根据权利要求1所述的铺设方法，其特征在于，两相邻的所述单晶块之间的间隙内铺设有两个或以上的所述单晶挡片。

9.根据权利要求1所述的铺设方法，其特征在于，所述拼接晶种层包括：

一第一外围挡片，其铺设于所述长晶容器的底部且位于所述长晶容器的内壁与所述单晶块之间；以及

一第二外围挡片，其铺设于所述长晶容器的底部且位于所述长晶容器的内壁与所述第一外围挡片之间。

10.根据权利要求9所述的铺设方法，其特征在于，所述第一外围挡片为单晶结构，其主要晶向与所述单晶块的主要晶向相同，所述第一外围挡片的次要晶向与所述单晶块的次要晶向具有一第二夹角，且所述第二夹角介于1度至40度之间。

11.根据权利要求9所述的铺设方法，其特征在于，所述第二外围挡片为单晶结构，其主要晶向与所述单晶块的主要晶向相同，所述第二外围挡片的次要晶向与所述第一外围挡片的次要晶向具有一第三夹角，且所述第三夹角为36.8度。

12.根据权利要求9所述的铺设方法，其特征在于，所述拼接晶种层还包括一第三外围挡片，设置于所述第一外围挡片与所述第二外围挡片之间，所述第三外围挡片为单晶结构，其主要晶向与所述单晶块的主要晶向相同，所述第三外围挡片的次要晶向与所述第一外围挡片的次要晶向具有一第四夹角，且所述第四夹角为36.8度。

13.一种类单晶晶锭的制作方法，其特征在于，包括：

铺设一拼接晶种层于一长晶容器的底部，其中所述拼接晶种层包括多个单晶块以及多个单晶挡片，所述单晶块经配置而位于所述长晶容器的底部且彼此不接触，所述单晶挡片分别夹设于相邻的所述单晶块之间的间隙并分别与相邻的所述单晶块接触，所述单晶挡片的宽度小于所述单晶块的宽度，所述单晶块的晶向相同且朝向同一方向，所述单晶挡片的主要晶向与所述单晶块的主要晶向相同，且各所述单晶挡片的次要晶向与所述单晶块的次要晶向分别具有一不为0度的夹角；

形成一熔汤于所述拼接晶种层上；以及

冷却所述熔汤以使晶粒由所述拼接晶种层上成长以形成一类单晶晶锭。

14.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，各所述单晶挡片的次要晶向与所述单晶块的次要晶向的夹角介于1度至40度之间。

15.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述单晶块与所述单晶挡片的主要晶向为100。

16.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述单晶块与所述单晶挡片的材料包括硅。

17.根据权利要求13所述的制作方法，其特征在于，所述单晶挡片的宽度与所述单晶块的宽度的比值介于0.32％与2.82％之间。