[发明专利]一种用于微带天线阵列的周期性空间波阻挡去耦结构有效
申请号: | 201710324846.4 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN107240770B | 公开(公告)日: | 2019-11-26 |
发明(设计)人: | 李迎松;焦天奇;姜弢 | 申请(专利权)人: | 哈尔滨工程大学 |
主分类号: | H01Q1/38 | 分类号: | H01Q1/38;H01Q1/48;H01Q1/50;H01Q1/52;H01Q21/00 |
代理公司: | 暂无信息 | 代理人: | 暂无信息 |
地址: | 150001 黑龙江省哈尔滨市南岗区*** | 国省代码: | 黑龙;23 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | |||
搜索关键词: | 一种 用于 微带 天线 阵列 周期性 空间 阻挡 结构 | ||
本发明涉及一种用于微带天线阵的周期性空间波阻挡去耦结构,用于降低阵列天线之间的耦合,主要通过在天线阵列之间加载具有立体周期性空间波阻挡结构实现。所设计的立体周期性空间波阻挡结构可以降低天线阵阵元之间的耦合,提高天线阵的隔离度。该结构主要包括介质基板701,公共接地板301,天线矩形辐射贴片101和102,立体周期性空间波阻挡结构201,贴片601,接地探针501,同轴馈电端口401和402;本发明所设计的立体周期性空间波阻挡结构不仅可以有效的降低天线阵列之间的耦合,而且可以有效地提高天线阵的隔离度,实现高性能阵列天线的设计。
技术领域
本发明属于阵列天线技术领域,具体涉及一种用于微带天线阵列的周期性空间波阻挡去耦结构。
背景技术
近年来,阵列天线技术受到了移动通信领域学者们的青睐,并且在基站和雷达中得到了广泛的应用。但是,随着人们对移动通信设备的要求越来越高,阵列天线技术在使用进程中受到了很多限制,如体积大,增益低等。此外,现代的移动通信要求设备小型化与便携化,这就要求阵列天线单元所占用的总空间变得很小,从而使天线阵单元之间的距离变得很小。而天线阵阵元间距是阵列天线设计的关键参数之一,当距离大于二分之一波长时,认为各天线单元之间的相关性低,隔离度大,可以很好的工作。但是在现代移动通信设备中,各天线单元之间的距离相对较小,进而使天线阵各阵列单元之间产生强烈的互耦,这不仅会影响天线阵的带宽、辐射方向图和辐射效率等特性,还会导致各天线单元之间的相关性增加,降低通信系统的通信质量。所以,采用去耦合技术降低天线单元之间的相关性,降低天线阵阵元之间的互耦,提高天线阵阵元间的隔离度是天线阵列设计的热点问题之一。
1999年Dan Sievenpiper根据光子带隙结构提出了电磁带隙结构,电磁带隙结构可以在一定频段内形成一个阻带范围,这个频段内的电磁波不能通过电磁带隙结构,因此电磁带隙结构能够有效的降低天线单元之间的耦合,Dan Sievenpiper开创了电磁带隙的先河,从此电磁带隙成为降耦合方法中较有效的方法之一。
发明内容
本发明的目的在于提出一种用于微带天线阵列的周期性空间波阻挡去耦结构,该微带天线阵列采用的立体的周期性的空间波阻挡结构能降低微带阵列天线单元之间的相互耦合,从而显著的提升阵列天线阵元间的隔离度。
本发明的目的是这样实现的:
本发明为一种用于微带天线阵列的周期性空间波阻挡去耦结构,包括介质基板701,公共接地板301,天线矩形辐射贴片101和102,立体周期性空间波阻挡结构201,贴片601,接地探针501,同轴馈电端口401和402,其特征在于:公共接地板301位于介质基板701下面;矩形天线矩形辐射贴片101和102印刷在矩形介质基板701上,对称分布在介质基板701的中心线两侧;立体周期性空间波阻挡结构201在两个天线矩形辐射贴片101和102之间,通过接地探针501与公共接地板301连接;贴片601附着在介质基板701上。
所述的立体周期性空间波阻挡结构201包含5个完全相同的并行空间波阻挡单元,每个空间波阻挡单元间距相等;空间波阻挡单元均有去耦合结构,呈现对称分布,上表面为贴片结构1001,前后表面为贴片结构1002,左右两侧具有相同的去耦合结构。
所述的贴片结构1001是三个矩形带线,两边的矩形带线结构大小相同,关于中心线对称,中间的矩形带线比两边的矩形带线宽;所述的贴片结构1002也是三个矩形带线,两边的矩形带线结构大小相同,关于中心线对称,中间的矩形带线比两边的矩形带线宽,且与上表面的矩形带线同宽,并保持相互连接;三个矩形带线构成的并行短路结构印刷在空间波阻挡单元的介质支撑板上,均与贴片601连接。
所述的两个同轴馈电端口401和402分别和SMA连接器相连,SMA的内导体直接与天线矩形辐射贴片101和102相连接,SMA的外导体与公共接地板301连接。
所述的公共接地板301,天线矩形辐射贴片101和102为铜质。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于哈尔滨工程大学,未经哈尔滨工程大学许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/pat/books/201710324846.4/2.html,转载请声明来源钻瓜专利网。