[发明专利]阵列基板及其制造方法和显示装置有效
申请号: | 201710326119.1 | 申请日: | 2017-05-10 |
公开(公告)号: | CN107425012B | 公开(公告)日: | 2020-05-01 |
发明(设计)人: | 蔡振飞;徐攀;潘鑫;袁粲;袁志东 | 申请(专利权)人: | 京东方科技集团股份有限公司;合肥鑫晟光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/12 | 分类号: | H01L27/12;H01L21/77 |
代理公司: | 北京天昊联合知识产权代理有限公司 11112 | 代理人: | 汪源;陈源 |
地址: | 100015 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | |||
搜索关键词: | 阵列 及其 制造 方法 显示装置 | ||
1.一种阵列基板,其特征在于,包括衬底基板和位于所述衬底基板上的间隔层、第一导电图形层和第二导电图形层,所述间隔层设置于所述第一导电图形层和所述第二导电图形层之间,且所述间隔层在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一导电图形层和所述第二导电图形层在所述衬底基板上的投影的交叠区域,所述间隔层设置于对应位于所述交叠区域上方的所述第一导电图形层和所述第二导电图形层之间,且所述间隔层和所述交叠区域一一对应设置。
2.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述间隔层的材料为有机膜材料。
3.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述间隔层的厚度范围为至
4.根据权利要求1所述的阵列基板,其特征在于,所述第一导电图形层为栅线,所述第二导电图形层为数据线。
5.根据权利要求4所述的阵列基板,其特征在于,还包括有源层和刻蚀阻挡层;所述有源层位于所述栅线的上方,所述刻蚀阻挡层位于所述有源层之上,所述间隔层位于所述刻蚀阻挡层之上,所述数据线位于所述间隔层之上。
6.根据权利要求5所述的阵列基板,其特征在于,所述阵列基板包括薄膜晶体管,所述薄膜晶体管包括栅极、源极、漏极和所述有源层,所述刻蚀阻挡层上设置有第一过孔和第二过孔,所述源极通过所述第一过孔与所述有源层连接,所述漏极通过所述第二过孔与所述有源层连接。
7.一种阵列基板的制造方法,其特征在于,包括:
在衬底基板上形成第一导电图形层、间隔层和第二导电图形层,所述间隔层设置于所述第一导电图形层和所述第二导电图形层之间,且所述间隔层在所述衬底基板上的投影覆盖所述第一导电图形层和所述第二导电图形层在所述衬底基板上的投影的交叠区域,所述间隔层设置于对应位于所述交叠区域上方的所述第一导电图形层和所述第二导电图形层之间,且所述间隔层和所述交叠区域一一对应设置。
8.根据权利要求7所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,所述第一导电图形层为栅线,所述第二导电图形层为数据线,所述在衬底基板上形成第一导电图形层、间隔层和第二导电图形层包括:
在衬底基板上形成栅线;
在所述栅线上形成绝缘层;
在所述绝缘层上形成有源层;
在所述有源层上形成刻蚀阻挡层;
在所述刻蚀阻挡层上形成间隔层、第一过孔和第二过孔,所述第一过孔和所述第二过孔形成于所述刻蚀阻挡层中;
在所述间隔层上形成数据线、源极和漏极,所述源极位于所述第一过孔中以与所述有源层连接,所述漏极位于所述第二过孔中以与所述有源层连接。
9.根据权利要求8所述的阵列基板的制造方法,其特征在于,
所述在所述刻蚀阻挡层上形成间隔层、第一过孔和第二过孔包括:在所述刻蚀阻挡层上沉积间隔材料层;对所述间隔材料层和所述刻蚀阻挡层进行构图工艺,形成间隔层、第一过孔和第二过孔。
10.一种显示装置,其特征在于,包括相对设置的对置基板和上述权利要求1至6任一所述的阵列基板。
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H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的