[发明专利]薄膜晶体管、薄膜晶体管阵列基板的制作方法及显示装置有效
| 申请号： | 201710326285.1 | 申请日： | 2017-05-10 |
| 公开（公告）号： | CN108878536B | 公开（公告）日： | 2021-08-17 |
| 发明（设计）人： | 吴绍静;张青;邵霜霜;陈征;崔铮 | 申请（专利权）人： | 中国科学院苏州纳米技术与纳米仿生研究所 |
| 主分类号： | H01L29/786 | 分类号： | H01L29/786;H01L21/336;H01L27/12 |
| 代理公司： | 深圳市铭粤知识产权代理有限公司 44304 | 代理人： | 孙伟峰 |
| 地址： | 215123 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | |||
| 搜索关键词： | 薄膜晶体管 阵列 制作方法 显示装置 | ||
1.一种薄膜晶体管的制作方法，其特征在于，包括：
在基板的第一表面上制作形成栅电极以及覆盖所述栅电极的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上制作形成负性光刻胶层；
在所述基板的第二表面一侧对所述负性光刻胶层进行曝光，所述第二表面与所述第一表面相对；
对曝光后的负性光刻胶层进行显影，以将所述栅电极之上的负性光刻胶层去除，从而将所述栅电极上的栅极绝缘层暴露；
利用喷墨打印的方式在暴露出的栅极绝缘层上制作形成有源层，形成所述有源层的墨水为醇相的金属硝酸盐墨水，所述金属硝酸盐墨水包括In(NO3)3墨水、Ga(NO3)3墨水、Zn(NO3)2墨水中的至少一种，墨水选择性的铺展于所述栅极绝缘层上；
将剩余的负性光刻胶去除；
在所述有源层上形成彼此间隔的源极和漏极。
2.一种薄膜晶体管阵列基板的制作方法，其特征在于，包括：
在基板的第一表面上制作形成栅电极、与栅电极连接的栅极线以及覆盖所述栅电极和所述栅极线的栅极绝缘层；
在所述栅极绝缘层上制作形成负性光刻胶层；
在所述基板的第二表面一侧对所述负性光刻胶层进行曝光，所述第二表面与所述第一表面相对；
对曝光后的负性光刻胶层进行显影，以将所述栅电极和所述栅极线之上的负性光刻胶层去除，从而将所述栅电极和所述栅极线上的栅极绝缘层暴露；
利用喷墨打印的方式在所述栅电极上的暴露出的栅极绝缘层上制作形成有源层，形成所述有源层的墨水为醇相的金属硝酸盐墨水，所述金属硝酸盐墨水包括In(NO3)3墨水、Ga(NO3)3墨水、Zn(NO3)2墨水中的至少一种，墨水选择性的铺展于所述栅极绝缘层上；
将剩余的负性光刻胶去除；
在所述有源层上形成彼此间隔的源极和漏极，同时在所述栅极绝缘层上形成源极线，其中，所述源极延伸到所述栅极绝缘层上且与所述源极线连接。
3.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，形成所述有源层的墨水与所述栅极绝缘层的接触角不大于40°，且形成所述有源层的墨水与所述负性光刻胶层的接触角不小于70°。
4.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层由具有亲水性的材料制成，所述负性光刻胶层由具有疏水性的材料制成。
5.根据权利要求4所述的制作方法，其特征在于，所述栅极绝缘层的制作材料包括氧化硅、氮化硅、氧化铝中的至少一种。
6.根据权利要求1或2所述的制作方法，其特征在于，所述基板是透明的。
7.一种显示装置，其特征在于，包括由权利要求1至6任一项所述的制作方法制作形成的薄膜晶体管或者薄膜晶体管阵列基板。
8.根据权利要求7所述的显示装置，其特征在于，所述显示装置为液晶显示装置或有机电致发光显示装置。
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